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[参考译文] ADS4249:关于实际驱动强度和编程序列

Guru**** 1812430 points
Other Parts Discussed in Thread: ADS4249, ADS4249EVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1161019/ads4249-regarding-actual-drive-strength-and-programming-sequences

器件型号:ADS4249

各位专家:

你好。

我们的客户 正在将 ADS4249用于我们的应用之一、并希望以180MSPS 的采样率在 LVCMOS 模式下使用该器件。 他们需要明确以下内容。

在 IBIS 中 、对于 CMOS_DATA_HIGH1、电流以典型值、最大值和最小值表示 实际的 ADS4249表示哪个电流(典型值/最大值/最小值)、因为我们没有为 CMOS 数据线选择高驱动强度的选项。 对于电路板的 IBIS 仿真、"典型"情况是否更安全?

2.是否有任何流程图或 API 可用于了解 ADC 的编程序列?


请保持安全。


此致、

乔塞尔

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    Josel、

    我们将研究问题1。 对于问题2、我们没有这个。  

    关于编程序列、加电后、内部寄存器必须初始化为默认值。 可以完成初始化
    通过两种方式之一:通过在 RESET 引脚上施加高脉冲 或通过应用软件复位实现硬件复位。 当使用串行接口执行软件复位时、将 RESET 位设置为高电平。 该设置将内部寄存器初始化为默认值、然后将 RESET 位自复位为低电平。 在这种情况下、RESET 引脚保持低电平。

    用于 ADS4249EVM 的 GUI 将所有地址从最低地址写入最高地址。 使用软件复位时、唯一关键的编程序列是首先写入地址0x00、因为这用于软复位。

    此致、

    Jim

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    对查询#1的应答