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[参考译文] ADS52J90:EVM 上的串联电阻与模拟输入的数据表

Guru**** 2754255 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/801210/ads52j90-series-resistor-on-evm-vs-datasheet-on-analog-inputs

器件型号:ADS52J90

你(们)好。

您能否澄清交流耦合模拟输入的建议输入配置? 在数据表中、建议的交流耦合配置似乎与 ADC 并联 INP > 50 Ω> 6.8pF > 50 Ω> INM、而这些是评估板上的 DNI、而是添加了一个10 Ω 串联电阻(例如 http://www.ti.com/lit/ug/slau632b/slau632b.pdf 上的 R112)

两种选择的性能影响和原因是什么?有哪种方式的建议?

作为参考、ADC 输入将通过交流耦合电容连接到 ADA4927驱动器。

斯蒂芬

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Stephen、

    RCR 电路用于吸收器件的采样毛刺。 额外10欧姆的目的还在于阻止采样毛刺进入外部电路。

    我们建议使用数据表中提供的交流耦合输入配置。