[参考译文] ADS114S06B：ADS114S06B

尊敬的 Marcelo：

与您的实际问题无关、但请遵循以下两个附加注释：

1. AVDD 上的电源去耦电容器需要至少为330nF、如数据表中的引脚功能表中所述。
2. 当您使用单极模拟电源执行单端测量时、您必须绕过内部 PGA (如果您尚未绕过)。 表示将 PGA_EN[1：0]位设置为00b。

此致、

尊敬的 Chris：

谢谢您的回复。

我之前试过 R7 =100K、没有成功。

现在、我尝试某种方式来钳制 AIN0通道的信号。 我使用了齐纳二极管、但正如您提到的、泄漏电流会改变我的输入信号、主要是随热变化而改变。

你还有其他建议吗？

提前感谢！

您好、Joachim、

感谢您的评论！  
我将更改电容器、PGA 的配置是正确的。

谢谢！

尊敬的 Marcelo：

我建议使用 TVS 二极管、因为它们通常具有较低的泄漏电流。 但是、要找到反向击穿电压大约为3.3V 的 TVS 二极管可能是一项挑战、从我的快速搜索中可以发现、它们的泄漏电流似乎比具有更高击穿电压的 TVS 二极管更高。

或者、如果您可以控制或检测所使用的输入类型、那么我认为 MOSFET 开关可能是保护 AIN0输入的好选择。 我在上一篇文章中提到了将 R7替换为串联开关、但在 R7之后、您还可以有一个分流开关接地、该开关将电流通过开关、而不是通过 ADC 的 ESD 二极管。