我使用的是 ADS1248。 我在 AIN2和 AIN3上连接了一个电位器、内部激励电流为500μA μ A。
我通过更改电位计电阻得到计数变化、但它不在整个范围内。 不确定、ADC 计数是否正确。
我正在关注伪代码示例。
寄存器设置:
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我使用的是 ADS1248。 我在 AIN2和 AIN3上连接了一个电位器、内部激励电流为500μA μ A。
我通过更改电位计电阻得到计数变化、但它不在整个范围内。 不确定、ADC 计数是否正确。
我正在关注伪代码示例。
寄存器设置:
您好、Abhishek、
欢迎来到 E2E 论坛! 查看原理图和所用 POT 的值以及如何将其连接到模拟输入会很有帮助。 如果您尝试在这些相同输入端测量电压、那么为什么在 AIN2和 AIN3上使用 VBIAS 并不清楚。 使用 VBIAS 时、需要将 AIN2和 AIN3输入设置为(AVDD-AVSS)/2、这样可以有效地将输入短接在一起。
此外、您必须确保总电位计电阻乘以500uA 可保持合规电压。 您还必须确保存在模拟接地路径、以便电流从 IEXC1输出传输到模拟接地。 最后、您必须确保所进行的测量处于 ADS1248 PGA 的正确模拟输入范围内。 如果您使用的是单极模拟电源、其中一个输入连接到模拟接地、则 ADS1248具有共模输入限制、可防止单端测量。
通常使用电位计作为测试、因此您打算使用哪种类型的传感器? 这是 RTD 吗? 如果是、我建议查看《RTD 测量基本指南》:
http://www.ti.com/lit/an/sbaa275/sbaa275.pdf
此致、
Bob B
尊敬的 Bob:
我已附上硬件连接的原理图。 此外、POT 范围为 0 - 200欧姆。
我们将跨输入连接 RTD。
更新了寄存器设置:
/*MUX0*/ = 0x13
/*VBIAS*/ = 0x00
/*MUX1*/ = 0x30
/*SYS0*/ = 0x02
您好、Abhishek、
原理图通常看起来不错。 但是、我认为最大的问题是基准电阻。 R637和 R736都必须连接至 AGND。 因为现在 IDAC 具有开路路径。
基准电阻的第二个问题是值。 最终、您希望 RTD 测量为激励电流激励 RTD 和基准电压的比例式测量。 这样、返回的代码(相对于+满量程代码的总数)表示 RTD 与基准电阻的比率。 如果使用500uA 电流以及820欧姆电阻、则压降为0.41V、小于基准输入电压所需的最小0.5V。 请参阅 ADS1248数据表第7.3节中的表格。 因此、您需要增加电流或将电阻器更改为大于1k 的值。 虽然1k 应该足够、但由于容差和漂移、电压很可能会降至0.5V 以下。
该电路似乎是为两个4线制 RTD 串联而设计的。 在进行测试时、必须确保在使用固定电阻器或电位计时、电阻的安装方式应使电流路径流经所有连接。 例如、IEXC1电流进入 J45引脚1。 如果固定电阻器连接到 J45引脚2和3、则电流需要流经电阻器并流出 J45引脚4。 这意味着需要将 J45引脚1和2与引脚3和4跳接在一起、以完成通过 J45的电流路径。 J33也是如此、因为电流必须流入 J33引脚1、然后流经电阻器并流出 J33引脚4。 为了完成电流路径、电流流经 R637并流向 AGND (R637连接正确时)。
现在、您选择的基准是内部2.5V 基准、这意味着您应该能够进行有效的测量。 但是、由于测量不是比例式的、因此您将受到激励源精度和漂移的影响。 现在在早期测试中、可以使用内部基准。 最后、您需要 通过更改基准电阻器的值并为您希望进行的 RTD 测量选择合适的基准来实现测量比例式。
此致、
Bob B