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器件型号：ADS1299 尊敬的 TI 专家：
我们在参考电压中配置了一个带有8个 TI 芯片的64通道系统。 我们使用64 P 输入、使用 SRB1连接到所有芯片的单个基准电极、仅在一个芯片上启用 PD_BIAS 的偏置电极以及在所有通道上启用 BIAS_SENSP/BIAS_SENSN。
我们已将直流导联脱落检测配置为24nA、将比较器阈值设置为70%/30%、并已为所有通道启用 LOFF_SENSP。 我们将记录每个通道的状态位、以了解导联脱落状态。
1) 1)即使我们看到移除电极时的预期行为、比较器也不能始终指示导联脱落事件(请参阅下图)。 这是预期的吗？
2)由于多路复用器从导联脱落电流源断开 SRB1、 我们是否可以将 SRB1物理连接到其中一个 N 输入、以便从该通道访问电流阱、并在该通道上使用比较器来同时获取参考电极的导联脱落状态以及所有其他电极？
3) 3)偏置电流是否应该尝试校正以及由导联脱落电流源引入的直流偏移？ 如果我们禁用 BIAS_SENSP/BIAS_SENSN、是否会有任何差异？
