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[参考译文] ADS8695:ADS8695测量值不是同值设定值

Guru**** 2535150 points
Other Parts Discussed in Thread: ADS8695

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/857203/ads8695-ads8695-meausre-value-is-not-fellow-set-value

器件型号:ADS8695

我在 DAQ 系统中使用了 ADS8695。 测试完成后、我发现一个问题:ADC 值大于设定值。

:数据低于1 μ A

设置值     ADC 值     要计算的 ADC 值

0              0                0

4.183V         215072            4.2V

3.684V         189440            3.7V   

3.284V         168960            3.3V

2.485V        128024.            2.5V

ADC 配置为:  范围= 1.25REF。

因此、根据结果、偏移值为:dV=16mV。  但我认为结果不符合数据表。 可以帮助我检查我的设计吗?

1、我检查 ADC 的基准电压是否正常;

2、该项计划的内容如下:

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    尊敬的 Shengds:

    有关原理图的问题很少:

    ADS8695数据表建议 REFIO 上的电容值最小为4.7 uF、如第7页和图53所示、但您使用的是(1+0.1) uF。

    2.输入上的 VsenseN_1连接到哪里? 它是否接地?

    3、ADC 输入端的设定值测量结果还是直流信号发生器的设定值?

    4.您使用的是分离接地(AGND_A 和 DGND_1)、它们在 PCB 板上的哪个位置连接?  ADS8695数据表建议强烈建议使用单一专用接地平面图、如布局指南部分所示。

    此致、  

    戴尔

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    2.是的、VsenseN_1被网结到 AGND。

    设置值位于 ADC 的输入端。

    4.AGND 严格至 DGND 在一点上、我在 AGND 和 DGND 之间使用了一个磁珠。 我的布局是两层。 图腾柱布局是地面设备。 和布局与 TI 的参考设计不同。

    我将再次检查 REFIO 电容器。   

    我在我的软件中添加了偏移、直到现在测试结果被视为正常。

    谢谢。

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    1,我使用了外部基准、测试结果相同。 所以我认为4.7uF 不是问题的原因!

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    您好、Shengds、

    即使 REFIO 上的电容器也不是电流测试中的问题、但最小电容器应始终满足、因为这是我们可以保证整个温度范围内的性能的电容器值、而不仅仅是室温下的电容器值。

    ADS8695是一款18位 ADC。 2层 PCB 板对于分辨率较低的 ADC 来说可能是可以的、但作为一个良好的经验法则、4层电路板应用于具有≥16位 ADC   的数据采集系统、强烈建议使用单个专用的实心接地层、尤其是对于≥16位 ADC。 否则、您可能会看到很多噪声和偏移。 如果接合点非常靠近 PCB 上的 ADC、2层电路板上的拼接接接接地可能会获得更好的性能、但是很难实现 ADC 数据表中指定的性能。

    此致、

    戴尔

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    您好 Dale、

      感谢你的建议。 我将修改分层和 REFIO 电容以检查新设计。