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器件型号：ADS114S08 你(们)好
我对 ADS114S08的内部基准电压精度有一些疑问：
描述：
ADS114S08用于测量模拟输入(0… 10V 或0… 20 mA)。
输入组有自己的电隔离组。 ADS114S08使用内部基准电压。 REFOUT µF 一个10k Ω/6.3V X5R 陶瓷电容器直接去耦到 REFCOM 和 GND。 没有其它到 REFOUT 引脚的连接。 ADS114S08采用 VQFN 封装。
REF 配置寄存器(05h)设置为0011.1010
问题：
在 REFOUT 和 REFCOM 之间的去耦电容器上测量的电压基准似乎在低于-0,1%限制的较低区域内、而有些则在外部。
七个不同的 AD 转换器显示了这些值：
• 2 498伏
• 2 498伏
• 2 498伏
• 2 498伏
• 2、489 V
• 2 498伏
• 2 498伏
根据数据表、在+25°C 时、基准电压应为2、4975至2、5025V 所有值都很低且接近限值、其中一个值似乎超出限值。
基准电压已经用2种不同的仪器进行了测试、这两种仪器显示相同、并且 A/D 转换器采样值比预期的值高0.1%、这表明基准电压很低。
问题：
基准电压为何如此低？
基准电压是否呈低电平趋势？ 数据表中的图21显示、对于检查的样本、基准电压始终低于2、500V。
此致
Niels Ole
