你好。 我在尝试了解使用 RLD 功能的最佳方法。 我具有以下连接:(LA -> IN1P);(LL -> IN2P);(RA -> IN1N 和 IN2N);(RL -> RLDIN 和 RLDOUT 和 RLDINV (通过 C 和 R))。
据我所知、RLD 功能是使用寄存器 RLD_SENSP 和 RLD_SENSN 配置的。 我是否应该为此配置启用 IN1P、IN2P、IN1N 的位? 我想、如果启用四个位(IN1P、IN2P、IN1N、IN2N)将 RA 贡献加倍会是错误的?
我还将 V1..V6连接到 IN3P...IN8P、 IN1N...IN8N 连接到 WCT。 启用相应的 RLD_SENSP 位是否合理、或者用处不大?
另外据我所知、RLD 在所有电极都与皮肤接触良好时效果最佳。 是否应该为这些电极使用导联脱落检测功能并即时相应地调整 RLD_SENSP/RLD_SENSN (仅在电极不关闭时启用它们)?