[参考译文] TX7516：Bf_CLK 共模电压范围和 HV 电容值

这里有人能帮忙吗？ 谢谢

您好！

BF_CLK 时钟缓冲器的共模范围为1–1.425V。

谢谢！

此致、

沙比尔

您好、 Shabbir、  

仅作确认、TX7516 BF_CLK 输入共模电压为 1~1.425V (典型值1.2V)、因此与 LMK0030x LVDS 输出(偏置电压1.125 ~1.375V)之间可以进行直流耦合。  我是对吗？

顺便说一下、我的数据表(2022年3月的版本 SLOSE39A)似乎不包含这些数据。   

我看到 TI 的 EVM 板使用交流耦合、交流耦合优于直流耦合有什么原因吗？

谢谢。

您好！

是的、您可以直流耦合它。 我们尽可能让客户对其进行交流耦合。 这样、器件本身就可以设置时钟缓冲器的共模电压、输入共模保持在限制范围内。 数据表中未提及该共模范围数据。

此致、

沙比尔

您好、Shabbir、谢谢、明白了。  

我还有一个关于 HV 去耦电容器值和数量的问题。  

数据表要求将4倍 1 μ F /100V、但 EVM 板使用4x 0.1 μ F/250V 但是。 哪一个是正确的？

受 PCB 板空间限制,放置4+4可选电容器似乎具有挑战性。 我们的 HV 可以是90~100V、我们可以 为每个电源使用4个0.1uF/0603/100V 电容器吗？ 再次感谢！

您好！

任一电容器都可以。 250V 和100V 额定电容值虽然相差10倍、但当偏置在100V 时、由于直流电容降额、电容仅相差2倍。 我们建议使用尽可能多的电容、以获得良好的串扰和线性性能。 如果空间受限，则应使用较低的电容继续操作，但至少应尽量在电路板上有可用空间的设备附近增加一个>10uF 的大容量电容。

谢谢！

此致、

沙比尔

您好！

两种情况都可以。 这里我们展示的是存储电荷、当 TX7516要求它向负载提供电流时、可以传递这些电荷。 高频所需的电荷将由放置在器件附近的具有较低值的电容提供、而具有较高值的电容将以较低的速率提供电荷、因此我们不会太担心 ESL。

谢谢！

此致、

沙比尔