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https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1312189/adc128s102qml-sp-displacement-damage-dose-rating
你(们)好！
我想知道是否有人可以为 ADC128S102QML-SP 提供位移损伤剂量额定值。
谢谢你。
尊敬的 Nicholas：
感谢您的提问！ 此设备的电离辐射总剂量特性报告可能包含您要查找的信息。
此致！
萨米哈
尊敬的 Samiha：
感谢您的答复。 我在 TID 表征报告中没有看到任何与位移损伤剂量相关的信息。 我正在寻找更类似于 Neutron 测试报告的东西。 您知道 TI 是否对此器件有任何类似看法吗？
尼科
您好、Nico、
让我向团队核实一下、然后回复给您。
ADC128S102QML-SP 器件是一款纯 CMOS 器件。 CMOS 产品已知可承受位移损伤、达到大多数程序的最大通量。 因此、我们尚未完成任何此类测试。 您的应用需要多大的通量？
感谢您的参与。 可以肯定的是、TI 团队是否看到最大通量为1.5E11 1-MeV 等效中子/cm2的任何问题？
我正在等待团队成员的回复。 我会在收到回复后回复您。
我收到的反馈是、通量不是很高。 很多双极器件都可以承受这种电压。 因此、您可以使用像 ADC128S102QML-SP 这样的纯 CMOS 器件。 但是、我们没有任何与之相关的测试数据。
感谢您的帮助！
