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[参考译文] ADS1278:具有 THS4521缓冲器的 ADS1278差分输入的交叉耦合或偏移问题

Guru**** 1623435 points
Other Parts Discussed in Thread: INA149, INA851, THS4521, ADS1278, OPA2350, INA821, INA826, PGA855, THS4551, ADS1274
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https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1297541/ads1278-cross-coupling-or-offset-issue-in-differential-inputs-of-ads1278-with-ths4521-buffers

器件型号:ADS1278
主题中讨论的其他器件:THS4521OPA2350、INA851、INA149 INA821INA826PGA855THS4551ADS1274

您好!

我在使用 ADS1278和 THS4521缓冲器的一款产品设计中遇到了一个严重问题。 很可能是我误解了如何使用这两个部分、但我必须验证我能否解决问题、或者我必须从头开始重新思考这一概念。

在我的应用中、我必须测量串联器件的多个压降。 我面临的问题是、当将多个差分输入连接到这些串联组件之一时、其他组件中读取的电压会发生变化。 电压 变化不能仅由单个差分通道的输入阻抗来解释、因为在我的设置中这种影响应该是微不足道的。

为了调试该问题、我构建了一个非常简单的设置、如下所示:

只需5个串联电阻器、每个电阻器为100欧姆、电压源为15V。 在这个情况下、流经的电流将为30mA、而每个电阻器的压降为3V。 THS4521缓冲器采用衰减输入信号的配置方式、因为这些缓冲器应能够读取高达20Vpp 的数据。 下面您可找到原理图的基础设计:

Rg 为20k Ω、Rf 为4.99K Ω、而此特定测试的 Rt 不存在、但我具有 Rt 为12.9K Ω 的不同设置、这会出现相同的问题。 我的 ADS1278遵循与参考板相同的原理图概念、其中 OPA2350用于将 VCOM 输出到 THS4521。 ADS1278获取8个差分信号、每个信号均由 THS4521缓冲、然后配置为高速模式并在本特定情况下采集100KSPS 信号。 电压适用、并且通道(如果其负输入端接地)非常精确。 ADS1278以隔离方式与微控制器进行连接、并且具有其自己的隔离电源。 所有的值都通过以太网传输到计算机上、并在 LabVIEW 应用中读取。

现在进行测试时、如果我仅将一个差分通道连接到上述设置、例如连接到 R1、则测得的电压非常精确(与 Keysight 34470万用表相比)。 例如、如果我将一个通道连接到 R1、将另一个通道连接到 R3、则会出现问题。 VR1升高至 60mV、这是我的应用的致命问题。 由于 THS4521的输入阻抗(在我的设置中约为60KOhm)、连接2个通道时合理地增加1mV、但不会增加到60mV。 请参阅下表、其中包含我已执行的部分测量:

很可能是、我还没有很好地理解差分测量的原理、但这确实是我的应用的杀手。 我非常感谢您提供相关意见来解决这一问题或找到根本原因。 最坏的情况,我将不得不改变整个概念,但我希望我能以某种方式解决这个问题。

谢谢、此致、

哈维尔

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    Javier、您好!

    根据您的精度要求、我认为这种方法不可行。  在这种情况下、差分输入阻抗为2*Rg=40k Ω、但共模输入阻抗约为(Rg+Rf)/2=12.5k Ω。  这个共模阻抗将具有相对于共模电压的额外电流。

    在上面的示例中、我假设调试设置与 ADS1278所用的电源是分开的。  (15V 电源和 ADS1278的接地端之间没有接地连接。)  在这种情况下、如果您仅连接一个通道、那么唯一的误差将是由于该通道的输入差分阻抗、即40k Ω 与100 Ω 电阻器并联。  但是、一旦连接第二个通道、现在就在通道和 ADS1278接地之间拥有了共模路径。  在这种情况下、将产生大得多的电流。  我需要设置 SPICE 仿真以获得确切的数字、但我认为、如果您将一个输入通道连接到 R1、将另一个通道连接到 R5、现在您将看到大约为15V/(CH1CM_Rin+CH2-CM_Rin) 0.6mA 的共模电流。  流经100ohm 电阻器的误差电流0.6mA 将产生大约60mV 的误差电压。

    如果要在阻抗低得多的源上进行测量、例如一串电池、则误差电压会降低很多。  您可以使用10欧姆电阻器(需要具有更高的额定功率)而不是100欧姆电阻器来验证这一点、并执行相同的测试。

    如果要测量与设置类似的电阻器网络上的电压、则需要使用输入阻抗高得多的差分放大器、或者为了获得出色性能、需要使用仪表放大器。  遗憾的是、使用 THS4521时、您实际上无法将电阻值增加到现有值以上、从而保持良好的直流电压(输入偏置电流将产生额外误差)和交流性能(输入电容将与反馈电阻相互作用、导致稳定性问题)。

    假设您的共模电压在+/-10V 范围内并且您有+/-15V 电源、则可以使用 INA851。  这是一个差分输出仪表放大器、可以直接驱动 ADS1278输入、无需 THS4521。

    另一种可能的选择是使用 INA149。  这是一个差分放大器、支持高得多的共模电压、并使用高得多的输入电阻器。  产生的误差电流将远低于您使用 THS4521创建的配置。  如果使用 INA149、您还需要使用 THS4521、因为 INA149的输出级将无法驱动 ADS1278输入和保持高精度。  此外、INA149可以在单个5V 电源下工作、但在这种情况下、输出将被限制在1.5V 至3.5V、这也会限制输入差分电压。

    如果您可以提供有关您实际尝试测量的内容(源阻抗、共模电压范围、差分电压范围)的更多详细信息、我可以完善我的建议。

    此致、
    N·基思
    精密 ADC 应用

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     Keith、您好、

    首先、非常感谢您投入的时间和提出的想法、通过阅读这本书、我意识到我喜欢使用 TI 器件的原因。 我还没有看到另一个论坛、 我可以在该论坛获得如此高水平的支持。 在我的应用中、它主要用于测量半导体(通常是 SiC MOSFET 中的 Vds、IGBT 中的 VCE 或二极管中的 Vf)的压降、这些半导体产品串联在多个并联的支路中(多达4个) 并且每个通道都通过开关(MOSFET)在特定时间段内启用/禁用。 基本上就是功率循环:

    在 I1、I2和 I3下方、我们将有多达4个被测器件串联在一起。 我们还有一些应用、目标是测量半导体的泄漏电流。 精确到每个 DUT 的实际要求、具体取决于测试:

    1 -我们必须能够为每个通道(DUT)以差分方式读取10Vpp 的信号、对于完整的分支、最坏情况下的要求是45Vpp (如果需要、我们可以将其限制为40Vpp)。 在我们的测量系统中、我们有多个采用 ADS1278的隔离式 ADC 块、但只需一个块即可覆盖一个完整分支、这一点很重要。 这意味着、同一 ADS1278通道之间的电压差可能会高达近45Vpp (共模电压范围)。

    2-关于每个通道的输入阻抗,理想情况下,我们将能够将其增加到>1Gohm,尽管在这里我们有一定的灵活性,如果我们必须在要求之间进行平衡。

    3 -关于前端的电源、我们管理使用 ADS1278的单电源很重要、例如1.5V 电源、THS4521目前就是这种情况。  但是在电压方面、我们有一定的灵活性(如果确实有必要的话)、就像在为 ADS1278供电 的 LDO 之前、我们有一个输出电压大约为8V 的反激式器件、但是我可以轻松地提高它们、并在必要时放置一个额外的 LDO。 如果可行、重要的是使用1个单电源来降低复杂性。

    4-关于封装、INA851的 VQFN 是一个问题。 我们希望采用更便于手工焊接的封装来进行返工/开发、例如 SOIC 或 VSSOP。

    5 -如果可能、我还会尽量避免使用 THS4521和 INA149等两个放大器的组合、但只使用一个放大器。

    6-由于我们将不得不为每个电路板使用许多放大器、BOM 成本将被尽可能地优化(例如 INA826或 INA821?)。 如果我们能找到一些具有成本效益的器件、就可以充分利用部分要求。

    鉴于这些要求、您认为哪一款是最合适的 TI 器件?

    另一个问题。 您是否认为有一种方法可以增加 THS4521的输入阻抗(共模和差模)、但以牺牲噪声为代价、这样我已经发送给您的60mV 设置差异就可以达到1mV 区域的某个值? 这里的问题是、我们是否能够以某种方式修复最初这些电路板来运行一些测试的短期问题。

    再次感谢您的宝贵支持、

    哈维尔

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    Javier、您好!

    您可以将输入电阻器增加到400k;根据仿真、这看起来应该可行。  但是、为了支持高达45Vpp 的共模电压、您需要增加衰减(减小增益)。  这将降低 ADC 输入端的差分电压、从而降低 SNR、但这可能仍然是可以接受的。  在任何情况下、在这样的高共模电压下、为了减少共模误差、电阻器网络的容差将需要为0.05%或更低。

    下面是一个建议尝试的电路。  由于输入偏置电流的不匹配、当 RF 增加时、失调电压会增加、但您应该能够校准此误差。

    如果您需要1G Ω 输入电阻、则实现这一目的的唯一方法是使用高压输入缓冲器、这要求电源电压高于共模输入电压。

    由于您需要支持高达45V 的共模电压、因此仪表放大器将无法工作。  在这种情况下、使用 THS4521创建分立式解决方案可能是您的最佳选择。

    此致、
    基思

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    Keith、您好、

    谢谢、我会遵循您的建议并尝试对 THS4521电路进行修改。 对于45Vpp、 我们的大多数应用只需要20Vpp。 本例中适合使用 INA821或 INA826吗?我们需要哪种电源?

    是否也可以向我展示针对20Vpp 修改过的 THS4521设置? 如何计算 THS4521的最大输入共模电压和相关的衰减因子以符合该要求?

    此致、

    哈维尔

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    尊敬的 Arijav:

    我的以下评论基于这样一个假设:ADS1278电路板接地可以连接到 DUT 的低侧、如下图所示(适当的 INA82x 输入偏置需要)。  此外、我假设 DUT 上相对于此系统接地的电压为正。

    在本例中、您可以将 INA826与需要测量的最大输入共模电压1V 或以上的单电源搭配使用。  如果 DUT (IGBT 的发射极)顶部的最大电压为20V、则 INA826的电源电压将需要为21V 或更高(高达36V 的最大额定电压)。

    在此配置中、INA826将能够测量0.1V 至10V 的差分电压。  如果 INA826以最大36V 的额定电压供电、则该器件可在 DUT (IGBT 的发射极)的顶部支持相对于上图所示接地的高达35V 的测量值。

    我运行 SPICE 仿真以确定满足 THS4521输入电压要求所需的最小衰减。  在最大电压为+20V 的情况下运行 Re 仿真会产生比先前建议值2倍的增益、即增益=0.05。  增益=0.25的初始设计中、共模电压限制在大约+7.5V。

    此致、
    基思

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    尊敬的 Keith:

    我在 Tina 中设置了与您准备的仿真相同的仿真、现在我更好地了解如何根据 THS4521调整电流电路以满足我的需求、非常感谢。

    对于下一个修订版本、我仍然想知道哪一条是最好的路径。 我有2个选项考虑25Vpp 的最大共模电压:

    1- INA149 + THS4521:在这种情况下、我可能必须使用2个轨电源、但这可能是一个很好的解决方案。 是否有应用手册可说明我可以看到采用 INA149和具有 ADC 的 THS4521的设计? 在本例中、我会使用增益为1的 THS4521、对吗?

    2- INA821/826:实际上、在我的应用中、ADS1278模块没有接地连接、如您在图片中所示。 如果不是100%必要的话、我也更愿意避免它。 如果我对您的理解很清楚、这是这些仪表放大器必须具备的条件、对吗? 是否还有应用手册可以让我在其中查看 INA821与 ADC 的设计? 专门针对 INA821、我将运行一些仿真、但我已经使用了您的模拟工程计算器:

    如果我不连接接地、我的假设是、对于+/-18V 电源、我将能够具有高达20Vpp 的输入共模电压差。 即使它对于我的许多应用来说并不完美、也是如此。 是否 真的需要连接接地?

    谢谢。此致、

    哈维尔

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    Javier、您好!

    我不知道有任何显示 INA149和差分放大器组合的特定应用手册。  但是、INA149的固定增益为1、因此当使用具有2.5V 基准电压的 ADS1278时、对于10V 差分输入、您仍然需要衰减4倍。

    以下是使用具有+/-10V ADC 输入的 INA149的应用手册。  然后、使用增益为0.25的 THS4521将提供相同的输入信号范围。

    https://www.ti.com/lit/an/sbaa337/sbaa337.pdf

    关于使用仪表放大器、您可以使用这些器件之一、而无需直接接地连接到 DUT、但需要使用1MEG 至10Meg 范围内的偏置电阻器。  以下应用手册讨论了此方法。

    https://www.ti.com/lit/an/sboa503/sboa503.pdf

    如果您对更多背景信息感兴趣、可以访问我们的培训系列 TI 高精度实验室、其中提供了大量材料。  有一个完整的部分介绍了仪表放大器的使用。

    https://www.ti.com/video/series/precision-labs/ti-precision-labs-instrumentation-amplifiers.html

    此致、
    基思

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    谢谢 Keith、最后一个问题。 使用 INA821时、我必须以0.25的系数对信号进行衰减。 我是否必须在 INA821之外额外使用 THS4521、或者是否有更有效的方法?

    由于衰减的主题、我实际上将重新思考 INA851的用法、即使它不具备成本效益也是如此。

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    Javier、您好!

    对于 INA821、最小差分增益为1、因此对于10V 差分输入、您将需要额外的0.25衰减。  执行此操作最方便的地方是 THS4521级。

    另一种可能;由于需要小于1的差动增益、因此另一种选择是使用 PGA。  PGA855的增益可设置为0.25、并可使用差分输出直接驱动 ADS1278输入。  但是、与 INA851类似、此器件仅提供 QFN 封装。

    此致、
    基思

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    谢谢 Keith、我已经决定继续使用 INA851。 您是否建议我对 ADS1278的每个通道使用数据表中的图9-9中相同的电路、并在 Vin-和 GND 以及 Vin+和 GND 之间添加1至10M 偏置电阻器?或者我是否需要修改一下? 我的目标是以100KSPS 的速率对通道进行采样:

    可以通过使用 OPS2350和 ADS1278的 VCOM 输出、以与 THS4521相同的方式驱动8x INA851的 VOCM 引脚、对吗? 在我的电流设计中、我使用了一个100k 电阻器和一个100nF 电容器、而不是数据表中所示的10欧姆和150pF 电容器。

    我还使用200k + 10k 电阻器修改了 THS4521的电流设计。 不幸的是、我经历的行为与以前完全相同。 如果我在连接 R5时读取 R1的电压、则这次电压跳变大约180mV (由于衰减因子、可能比之前高)。 因此、至少对于 THS4521而言、这一问题与对更高共模电压的适应能力之间没有关系。 您是否知道根本原因是什么?、我不想转至 INA851的新设计、但我发现仍有相同的问题...

    此致、

    哈维尔

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    Javier、您好!

    是的、我会在 INA851输出和 ADC 输入之间使用图9-9中的值。

    对于输入、除了1M 至10M 输入偏置电阻外、我建议添加一个差分输入噪声滤波器。  您可能不需要这些组件、但如果输入连接上拾取大量 RF/EMI 噪声、添加此滤波器将非常有助于减少测量噪声。  有关 INA851的 EVM 用户指南、包括建议的电路板布局布线等更多详细信息、请参阅 EVM 用户指南。

    关于 VCOM 引脚、是的、您可以使用与 THS4521相同的方法。  缓冲 ADS1278的共模输出并驱动 INA851器件的8个 VOCM 输入引脚。

    将 THS4521反馈电阻器更改为200k 和10k 应会降低通道之间的影响。  我不确定在这种情况下会发生什么情况。  我建议使用手持 DMM 来测量输入、同时为每个测量通道添加等效电阻网络。  这应该有助于找出根本原因。

    此致、
    基思

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    谢谢 Keith。 关于 THS4521、我现在不仅用 Mouser 购买的全新电阻器替代了电阻器 、而且用 IC 本身替代了、现在我看到在抽查中有2-3mV 的差异。 我 在 中国经销商处没有库存的时候购买了旧 THS4521、可能是假冒产品。 我 将使用400K + 10K 电阻器的设置来最大限度地提高针对共模输入电压的稳健性。 我将执行更密集的测试、但目前我想我将能够使用 制造出的电路板。 接下来肯定会随 INA851提供。

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    Javier、您好!

    感谢您的更新。  如果 THS4521很难找到、您也可以使用此放大器的较新版本:THS4551。

    此致、
    基思

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    Keith、您好、

    再次感谢您的意见。 3最后的问题(我想:):

    您认为使用 THS4551、我是否能够进一步减少共模电压的问题(现在 差分电压为2-3mV)。

    2-我的设置是否需要以及通过 THS4521 (或 THS4551)偏置1M 至10M 电阻器?

    INA851是否确实可以改善我的问题、后者主要是输入共模电压对输出差分电压的影响? 它似乎没有 像 THS4521或 THS4551那样具有0.2输出增益的更高 CMRR。

    此致、

    哈维尔

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    Javier、您好!

    1 - THS4551具有更好的直流规格、因此使用该器件应该有助于提高整体系统精度。  然而、共模抑制主要由反馈电阻器匹配决定。  容差为0.1%的电阻器将产生大约60dB 的共模电压。  这意味着、除了所有其他误差外、10V 共模电平将导致10mV 的差分电压。  如果您需要进一步减小此误差、将需要容差为0.05%以上的电阻器。  一种可能的解决方案是使用匹配的电阻器网络、假设有正确的值。

    2 -如果仅使用 THS4521或 THS4551、则在这种情况下不需要额外的偏置电阻器。  反馈电阻器提供放大器所需的偏置电流。

    3 -增益为0.2的 INA851具有76dB 的最小共模抑制比。  这相当于使用容差为0.01%的反馈电阻器。  它大约是使用具有0.1%容差的电阻器的 THS4551 (THS4521)获得的解决方案的10倍。  但是、INA851的输入阻抗较高、这一特性得到了额外改善。  由于您需要添加偏置电阻器、因此电阻器值将减少、但仍处于1M Ω 范围内。

    此致、
    基思

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    非常感谢 Keith 提供的详细答案。 我只有最后一个问题(这次肯定:))。  INA851上的1M 偏置电阻和输入滤波器都不会进一步将 CMRR 降低为76dB (最小值)、对吧?

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    Javier、您好!

    我更详细地看了一下您的设置。  偏置系统的首选方法是使用连接到电阻网络中最低电压电位的单个1MEG 电阻器。  假设您要为仪表放大器使用单电源、则应将该点偏置到 ADC 基准、即2.5V。

     由于是直流耦合到每个 DUT、此配置随后将为所有输入通道建立适当的偏置电压点。  下图显示了建议的配置。

    INA 模块是理想的仪表放大器、对 INA851的输入偏置电流进行了建模。  存在细微差异、这是偏置电流和 DUT 阻抗导致的。  但是、您可以看到、当 DUT 阻抗高达10k Ω 时、误差小于1mV (本例中约为300uV)。  所以是的、CMRR 上仍然有一定的影响、但这取决于 DUT 阻抗和总共模电压。  这是对 INA851 CMRR 规格的补充。  不过、使用此设置、您应该能够获得误差小于1mV 的精确测量值。

    此致、
    基思

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    Keith、您好、

    感谢新的偏置建议。 遗憾的是、在我的设置中、这将很难实现、因为测试的操作员始终必须小心检查哪个 DUT 更接近接地、因此 通过偏置电阻器将通道连接到它。 我确信会犯错误。

    连接到 ADC 接地的每个通道2x1MOhm (0.1%)电阻器的原始设置以及输入端高达20V 的共模电压差、我预计会出现什么误差?

    此致、

    哈维尔

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    Javier、您好!

    我将在今天或明天晚些时候答复。

    此致、
    基思

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    Javier、您好!

    误差将取决于每个 DUT 的电阻。  在每个通道上使用10M Ω 偏置电阻器时、总误差应为1mV 或更低、最大 DUT 电阻为1k Ω。  如果偏置电阻器为1MOhm、则最大 DUT 电阻将为100Ohm。

    具有多个偏置点会导致偏置电压发生变化、从而使其取决于总 DUT 电压以及电源电压。  下面是由36V 单电源供电的 INA851用例。  在这种情况下、偏置电压设置为13.75V、这将允许 DUT 电压范围高达30V、同时仍满足 INA851的输入电压要求。

    我明天就要离开办公室,在今年余下的时间里,直到1月2日才能再回复任何 e2e 的帖子。

    此致、
    基思

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    Keith、您好、

    首先,我祝你新年快乐。  我仍然想知道在我的精确案例中哪一个是最好的偏置解决方案。 在本例中、DUT 实际上连接到一个电流源、该电流源通常具有15V 至20V 的最大电压。 但是会调节电流、因此、根据分支中的 DUT 数量和其他限制条件(如 Rdson)、电压实际上可能低于15V 至20V。 每个支路的电流本身可从10mA (由不同的测量电流源提供)、100A 到最高2000A 不等、具体取决于精确的测试台和测试步骤。 因此、如您在上一个示例中所建议的那样、具有13.75V 的恒定偏压、或者具有一种在 DUT 全部连接并取决于工作点后将得到解决的浮动偏压、是否合理? (每个 INA851的两个10M 偏置电阻器的初始思想是到 ADC 的公共接地。) 在使用最初选项的情况下、我也想知道在 INA851的+/-输入之间添加第3个电阻器(1M)是否有好处 、如 SBOA503应用(第7页)中所示、可以减少输入共模的影响。

    此致、

    哈维尔

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    尊敬的 Arijav:

    我们需要更多时间来回答此问题、请预计在大约1周内得到答复。 感谢您的耐心等待

    -Bryan

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    您好、Bryan:

    感谢您的反馈。 我会耐心地等待回应然后。

    此致、

    哈维尔

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    尊敬的 Arijav:

    我们本周无法回答此问题、我们希望在下周一星期三之前给您回复、因为星期一是假日

    -Bryan

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    Javier、您好!

    是的、在休息一下看这个独特的设置后、我想我同意。  只需为每个 INA 输入使用1M 连接到一个共模电压、而此电压正是 INA 电源的中点、可能最有效。

    我需要指出的是、您需要为 INA851使用双极电源、以涵盖各种输入。  使用 INA851、建议的电路支持高达30V 的总 DUT 电压、但 INA851要覆盖该整个输入范围所需的电源是 VS-=-3V 和 VS+=33V、偏置电压设置为15V 的中点。

    放大版本:

    此设置假设 INA851+ADS1274的电源电压与 DUT 源隔离、或者 DUT 在负侧具有公共接地、如此 e2e 主题前面所示。

    使用仪表放大器或差分放大器通常假定 DUT 和测量系统之间存在公共接地。  在工业系统中、这通常是接地。  在本例中、DUT 相对于测量系统具有悬空的位置、这就是该方法分析起来很复杂的原因。

    此致、
    基思

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    Keith、您好、

    感谢您的详细回答。 我目前在该设计中所做的实际上是通过隔离式反激来从主电源+18V 和-18V 生成。 我使用这些电压为 ADS1278块的 INA 供电。 ADS1278 5V、3.3V 和1.8V 电源 通过另一个非隔离反激式生成、该反激式连接到第一个隔离反激式及其+18V 电源以及连接到输出的3xLDO 的接地端。 INA 的 VCOM 输入(每块总共8倍)进入由 OPA2350缓冲的 ADS1278的2.5V 输出。 在此情况下、您是否发现有任何不便?

    我的筛选方式与上一个示例中的筛选方式似乎略有不同(我遵循了您首篇文章中的建议)。 您认为最好使用您最后的 建议吗?

    我还有一个与 SBOA503相关的问题(第7页)。 似乎没有使用1MOhm 电阻器10MOhm 电阻器来接 INA 接地、并且在 INA 输入之间还有一个第三1MOhm 电阻器。 这在我的应用中是否合理、或者您是否会按照您最后的建议保留设计?

    此致、

    哈维尔

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    Javier、您好!

    我上一次的答复仍然是一个简化的示意图。  您在上面显示的配置将起作用。  然而、我建议将1M (或10M)电阻器直接接至输入(INA_AINN1和 INA_AINP1)来减少任一增益误差。  

    是的、您也可以使用1M 电阻差分和10M 偏置电阻、如应用手册中的建议、以提高测量精度(减少失调电压)。  

    此外、我建议将电容值减少10倍、将电阻值增加10倍、以改善输入过压保护。  您有一个 TVS 二极管来保护差分、您可能还需要一个 TVS 到系统接地。

    遵循所有这些建议、电路将如下图所示:

    此外、只要整个测量电路运行在相对于 DUT 的隔离电源(用于 INA851的双极电源、用于 ADS1278的5V、3.3V、1.8V 电源)上、那么您就可以使用+/-18V 电源、然后偏置电压就会简单地连接到电路接地。  这应允许4个 DUT 上的总电压约为28V、并仍满足每个 INA851的所有输入和输出电压要求。

    INA 的 VCOM 输入(每块总共8倍)进入由 OPA2350缓冲的 ADS1278的2.5V 输出。 在此情况下、您是否发现有任何不便?  

    可以、使用 OPA2350缓冲 VCOM 信号、然后路由到每个 INA851应该效果很好。

    此致、
    基思

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    Keith、您好、

    非常感谢您的回答、我将遵循您的建议!

    此致、

    哈维尔

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