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[参考译文] DAC63004WCSP-EVM：具有高侧 P 沟道 MOSFET 的灌电流电路

admin
Guru**** 1960875 points
Other Parts Discussed in Thread: DAC63004W, CSD25481F4, DAC530A2W
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1452854/dac63004wcsp-evm-current-sinking-circuit-with-a-high-side-p-ch-mosfet

器件型号：DAC63004WCSP-EVM
主题中讨论的其他器件：DAC63004W、 CSD25481F4、 DAC530A2W

工具与软件：

我想使用 DAC63004W 实施一个电路、类似于应用手册 SLAAE94中所述的电路(https://www.ti.com/lit/an/slaae94/slaae94.pdf?ts DAC=1734452568773&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F)

该应用手册中所述的电路在电路的低侧使用 N 沟道 MOSFET、将负载连接到高侧。 是否可以使用此 DAC 和 P 沟道 MOSFET (如 TI 的 CSD25481F4)来实现高侧开关电路？

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    TI__Guru**** 1960875 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Fearghal：  

    我们有一个新器件 DAC530A2W、它集成了 FET、可以输出高达300mA。 但对于每个器件、这将只有一个通道、并且如果所需的300mA 以上、则无法正常工作。  

    我们还有另一个应用手册、该手册使用 BJT 和连接在低侧的负载。 SLAAE49

    使用智能 DAC 的高侧电流源 LED 偏置电路

    可以按照您画的那样实施电路、但 FET 的 VGS 压降通常比 VBE 压降 pf BJT 更大、这意味着 FET 解决方案需要更大的余量。  

    此致！

    Katlynne Jones  

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