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[参考译文] ADS7865:BVDD 上的旁路电容值

Guru**** 2394305 points
Other Parts Discussed in Thread: ADS7865

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1462669/ads7865-bypass-capacitor-value-on-bvdd

器件型号:ADS7865

工具与软件:

您好!

我的客户有一个关于 ADS7865的问题。

此表规定、应该为 P25上的 BVDD 放置0.1uF 和10uF、如下所示。

另一方面、P7上的"端子功能"建议使用1uF、P24上的图36也使用1uF。

此外、下面是 P25左侧的、建议1uF~10uF。

他们的问题是、对于1uF 的 BVDD、他们应该使用多大的电容器值? 10uF 或1uF-10uF 之间的任意值?

此致
OBA

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Oba、  

    欢迎来到 E2E 论坛!  

    通常、我们建议在电源和接地端之间添加去耦/旁路电容器以实现稳定(减少尖峰和/或突降)并减少从电源注入器件的任何噪声。

    通常情况下、0.1uF 的电容器可以滤除大部分噪声、而额外更大的电容器(通常介于1uF 到10uF 之间)有助于更稳定至电源电平和电流。 当涉及到实际放置(布局)时、在从器件电源引脚(BVDD)到电源的路径中、电容器的顺序应通过增加尺寸顺序来实现(最小值最靠近器件、最大值为电源)。 0.1uF 电容应尽可能靠近器件、以确保它可能在从电源到器件的路径中获取的任何可能的噪声都被滤除。 在中、越来越多的电容器用于保持充电资源、这 有助于应对任何尖峰或骤降情况。  

    这些通常是很好的原理图/布局最佳实践、通常适用于大多数器件、但根据器件和/或系统的不同、它可能需要或多或少的滤波和稳定性。 噪声和功耗通常是在两个范围内添加更多电容器的原因、但至少有0.1uF 的滤波电容器和1uF 或10uF 的电容器来确保稳定性通常就足够了。  

    对于 ADS7865、为了实现稳定性、他们建议使用至少一个1uF 的电容器来对电源进行去耦(第7页)。 为了还实现一些滤波、还建议在器件附近添加一个0.1uF 电容器(第25页、电源部分)。  第25页左侧通常指所有器件电源引脚(BVDD 和 AVDD)、其中建议使用0.1uF 和1uF 或10uF 的电容器。  

    请遵循数据表第26页的布局建议、为 BVDD 和 AVDD 添加至少0.1uF 和1uF 的电容器。 如果需要、或者如果电源与更多器件共享、则在更靠近电源的位置添加更大的电容器也会有所帮助。  

    此致、  

    Yolanda

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Yolanda、

    非常感谢您提供非常详细的回答。

    此致、
    Obata Satoshi