• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 2 回复
  • 订户 1 订户
  • 视图 96 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] ADC128S102QML-SP：ADC128S102QML-SP

admin
Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: ADC128S102QML-SP
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1484318/adc128s102qml-sp-adc128s102qml-sp

器件型号：ADC128S102QML-SP

工具与软件：

您好、TI 工程团队：

请为 ADC128S102QML-SP 提供中子位移损伤测试报告。  我们正在验证辐射要求的合规性。  谢谢你。

此致、

Jason Baxter

高级电气工程师

西海岸解决方案

  • 0
    TI__Guru**** 2387080 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jason：  

    中子位移损伤测试不是我们专门针对该器件进行的测试。 目前、我们唯一可用的报告是 SEE (SEL 和 SEU)报告和 TID 报告。  

    此致、
    Joel

  • 0
    TI__Guru**** 2387080 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Joel、您好！

    感谢您的答复。  我认为纯 CMOS 设计可能足以代替 DD 测试数据。  再次感谢你。