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[参考译文] DLPC410:SPI 闪存编程失败:"DONE 未变为高电平"

Guru**** 2524550 points
Other Parts Discussed in Thread: DLPC410

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/dlp-products-group/dlp/f/dlp-products-forum/1563444/dlpc410-spi-flash-programming-fails-done-did-not-go-high

器件型号:DLPC410


工具/软件:

我正在使用 DLPC410、并尝试使用 ISE Impact 14.7 对 Infineon S25FL128LAGMFM010(128Mbit SPI 闪存)进行编程。 根据勘误表、此部件应该是旧 PROM 的可接受替换部件。

我生成了一个针对 128Mbit SPI PROM 的.mcs 文件。 创建闪存器件时、我被迫选择不同的器件型号 (S25FL129P)、因为我的确切器件未列出。 我不确定这是否可以接受。  我使用了“XIL_IMPEK_SKIPIDCODECHECK=1"环境“环境变量来绕过不受支持的闪存 ID。  

当尝试从影响中的闪存对 DLPC410 进行编程时、我需要在开始闪存编程时关闭验证选项。

Impact 成功擦除闪存并 表示编程未完成、报告:

“配置数据下载到 FPGA 失败。 DONE 没有变为高电平、请检查您的配置设置和模式设置。“

模式/配置设置模拟了在评估板(随附的原理图)上所做的操作、它们看起来是正确的、我探测了它们以检查电压。

我确认了 JTAG 链正常工作、FPGA 直接通过.bit 进行编程正常、并且为主 SPI 设置了模式引脚。

是否有人成功地将 S25FL128L 与 Virtex-5 配合使用、或者是否知道设置 PROM 所需的正确影响和.mcs 设置? 有什么技巧吗?

谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 William、

    我知道,这应该起作用了。  是否列出了它“支持“的任何其他 128Mbit PROM。  这是将 PROM 大小设置为匹配的主要因素。

    您确实必须关闭 ID 检查。  如果可以、请告知我们。

    FIZix

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    我尝试了另一个 128Mbit 选项 M25P128、但它也不起作用。 我还尝试降低 JTAG 电缆的 TCK 速度、但它没有解决问题。

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    您好、William、

    我认为对于 SPI PROM、您必须关闭“verify"选项“选项、这是正确的。   

    我们对 Impact 14.7 没有太多的运气。  尝试 14.1 查看它是否有效。

    菲齐克斯

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    Impact 14.1 起作用。 感谢您的提示。

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    William、

    感谢您的确认!  只是 14.7 不能用于此操作的另一个数据点。

    菲齐克斯