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[参考译文] DLP9000:什么是关断状态填充系数、以便我可以计算 T_array?

Guru**** 651100 points
Other Parts Discussed in Thread: DLP9000, DLP2000
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/dlp-products-group/dlp/f/dlp-products-forum/1181522/dlp9000-what-is-the-off-state-fill-factor-so-i-can-calculate-t_array

器件型号:DLP9000
主题中讨论的其他器件: DLP2000

您好!

我正在尝试确定我选择的工作条件对于我的 DMD 来说不是太苛刻。 在我的应用中、大多数微镜在高光功率下大部分时间处于关闭状态。  

以下文档详细介绍了如何为非均匀照明的部分 DMD 阵列计算 T_array: https://www.ti.com/lit/an/dlpa104/dlpa104.pdf?ts=1671473594157&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F

很明显、我在计算时需要的信息之一是关闭状态填充系数、FF_关闭 状态镜像。 但是、DLP2000或 DLP9000的数据表中并未指定这一点、这两种产品都具有7.6 um 间距的微镜。  上面的文档给出 了对于10.8um 间距微镜 DMD、FF_OFF-STD-mirror = 75.3%、但我认为对于微镜间距较小的 DMD、它应该稍低。  

非常感谢您分享所有 DMD 类型所需的信息。 我还理解该数字可能取决于照明角度、但标称值(1%以内)就足够了。

非常感谢!

-S

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    您好 Sarah、

    并非所有器件都发布了这些数字。  出版物中的器件是 NIR 器件、通常具有较小的数字孔径。

    对于可见光 、有效填充系数在很大程度上取决于  f 数(数字光圈)照明角度和波长。

    如果您已经按光学方式设置了套件、则可以测量系统的吸收情况、但将所有镜片置于关闭位置并以1或2瓦的功率点亮、并测量产生的每瓦温升。

    我希望它能更直接一点。

    您打算让 DMD 暴露在什么程度上?

    Fizix

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    Sarah

    对于7.56um 像素、 您可以使用0.39的关闭状态吸收因子进行计算。

    这 假设阵列完全照亮、活动阵列上的照明分布为90%、阵列边界上的照明分布为10%。 是的
    强烈建议尽可能减少照明过填充、从而最大限度地提高有源阵列照明、提高整体系统效率并减少 DMD 热。

    您打算照亮 DMD 有源阵列的哪个区域?  

    请注意、R 硅到陶瓷(C/W)随着照明面积的减小而增大、具体取决于每个 DMD/封装组合

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    您好、Carey、

    感谢您的回复。 我很好奇、您对该估算假设的 f/#和照明角度是多少?

    我打算按照您的建议尽量减少过量填充。  我还从 TI 获得了用于我的预期照明区域的正确 R_silics-to c陶瓷 值。

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    您好 Fizix、

    感谢您的回复。 我知道该数字在很大程度上取决于照明角度和 f/#。 我想我可以使用导通状态填充因子和一些粗略的几何/三角函数来推断这个数字。

    我对如何使用您建议的每瓦温升来测量关断状态填充系数有点困惑。 您是否想提供更多详细信息? 我可以在 TP1测量 T_Ceramic、并且可以使用 TI 为我的特定应用提供的信息来计算 T_array。

    谢谢!

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    Sarah、

    我不建议您测量填充系数、而是每瓦热负载。

    首先在所有镜片处于打开位置时测量温度、并等待其达到平衡。  然后关闭所有镜片、并在再次达到平衡时测量温度的上升。  如果您使用足够小的照明功率来实现此目的、则可以确定关闭时与开启时相比的每瓦添加负载的度数。

    一旦您拥有了这一特性、您就应该能够估算全功率下的所有关断负载、从而估算实现阵列温度以保持稳定所需的热量解决方案。  这有道理吗?   

    Fizix