[参考译文] DLP5531Q1EVM：系统忙

您好 Cherry：

感谢您提供详细信息。  我们的其中一个团队将在查看您提供的内容后对此做出回应。

Fizix

您好、Cherry：

实际上、我们需要几天时间来更详细地对此进行检查。   

您是否能够读取 非周期性诊断并查看是否报告了任何错误？   

您似乎只能通过进入待机模式来读取非周期性诊断、但我不能始终进入待机模式和引导加载程序模式。

从 TI 购买的 EVM 可正常读取。

修改后的电路板 处于引导加载程序模式、无法读取。

您好、Cherry：  

似乎存在硬件问题。  如果 TESTPT0 (DLPC230的引脚 Y4)为高电平、DLPC230将保持引导模式。  您能否测量引脚 Y4或 R50的底部以使修改后的电路板将该引脚驱动为"0"或低电平？   修改后的电路板是否与以下电路完全相同？

请参阅 EVM 原理图和 DLPC230数据表的以下两个图像。

谢谢。
Jason

大家好、Jason、

 无论我是将经过修改的电路板将引脚 Y4推至"0"还是"1"、电路板仍处于引导加载程序模式下。 我的电路移除了 U509开关、因为我认为一个开关足以控制该引脚的高电平和低电平信号。 这就是原因吗？

经过修改的电路板

TI EVM  

谢谢，

樱桃

您好、Cherry -

"错误历史记录"页面最有用、因为它通常会显示所有遇到的错误代码的列表。 通常、这有助于我们找出这些问题的根本原因。 您能分享一下这个页面的屏幕截图吗？

谢谢。

罗斯

樱桃、听起来硬件不是问题。   

查看来自 Ross 的消息以捕获错误历史记录。  此外、下一个可能存在的主要方面是验证 SPI 闪存是否已正确编程和编程。  如果 DLPC230从闪存读取数据时获得错误、那么它将保持引导状态。

Jason

您好，Ross，ć

"错误历史记录"页面告诉我我设备已激活并紧急关闭。

谢谢。

樱桃

大家好、Jason、

我使修改后的电路板的 DLP230将 Y4推至"1"、此时我能够成功下载闪存。

但是当我把 Y4按到"0"时,我不能用 FLASH 做任何事情,开始报告系统忙,紧急关机也 打开了。

谢谢，

樱桃

您好 Cherry：感谢您提供这些信息。 团队正在深入研究软件的详细信息、以尝试了解导致此问题的原因。 我还有几个问题：

1) 1)您能否解释一下您的电路板与 TI EVM 之间的差异？

2) 2)您在 EVM 中编写了哪个版本的 DLPC230闪存？

谢谢。

罗斯

您好，Ross，ć

我们修改了该板、以移除 DMD 加热器、HDMI 接口和相关电路、光电二极管接口和相关电路。

上面的所有电路已经被删除。我下载了这个闪存。 我的闪存芯片使用 MX25L12833F、它很重要吗？

谢谢。

樱桃

您好、Cherry：

罗斯今天出来了。  我想让他谈谈电路的移除问题。  似乎应该没问题、但我希望他在星期一审查。

启动错误0x26似乎表示系统立即出现不可恢复的错误。  闪存部件似乎不兼容或数据以某种方式损坏。

哪个版本、您使用的是哪个版本。  您是否使用了 MX25L12833FMMR-10G？  我们认为这一个应该起作用,但不确定其他版本。

谢谢。

Jason

大家好、Jason。

是否存在像在我的系统上出现0x26这样的错误的任何其他原因？ 我的闪存芯片是 mx25l12833fm2i-10g。 根据您的意思、芯片应该可以正常工作。

读取错误历史记录时出现错误0X26。

读取系统信息时出现错误0x38。

TI EVM 引导修订版

My EVM 引导修订版本

EVM 处于引导模式的原因是引导修订版吗？  此引导版本是如何更改的？

谢谢。

樱桃

您好、Cherry -

移除这些特定电路应该不是问题。  

关于闪存版本：、您从哪里下载此文件？

我要提出的一项建议是使用 ACP 的"读取闪存"功能来保存 TI EVM 上的闪存版本、然后将该版本重新编程到您的 EVM 版本上。  

您能做到吗？

关于引导版本号、我们的团队仍在调查可能导致此差异的原因。

此致、

罗斯

您好，Ross，ć

我从您的技术人员提供的安全源下载了 我的闪存版本。

我使用了 ACP 的"读取闪存"功能来保存 TI EVM 中的闪存版本、然后将该版本重新编程到我的 EVM 版本。 但随后它似乎不起作用。 我不知道这是否是闪存下载问题。

我使修改后的电路板的 DLP230按下 Y4到"1"、此时我能够成功下载闪存。但是当我将 Y4设定为"0"并尝试验证闪存版本时、DLP 230控制程序开始报告错误。

谢谢。

樱桃

您好、Cherry：   

很抱歉、我们无法立即了解此问题的原因。  我们将花更多时间研究引导加载程序的差异、并集思广益。

一般来说、它看起来与闪存或二进制文件有关、因为系统会立即进入待机模式。

让我们讨论更多、明天再回来。

谢谢。

Jason

大家好、 Jason、

期待您的回复。

谢谢。

樱桃

您好、Cherry：

官方启动 ROM 版本为1.0.09、没有其他版本、因为硬件中修复了该版本。 启动版本返回从"读取系统软件版本"命令获取的版本。  您能否仔细检查返回值？ 具体来说、哪个系统会返回哪个版本？

在获取系统信息页面时、请分享两个系统(TI EVM 和您的新系统)的命令日志以进行确认。 请 先清除命令日志、然后读回系统信息并共享该日志输出的屏幕截图。  我们只是想再次检查引导 ROM 版本、因为这应该永远不会改变。

以下是错误代码：

我们仍不确定是什么导致了此问题、但最可能的原因仍然是闪存器件出现了问题。

您可能考虑的一个实验是将闪存器件从 TI EVM 移至您的新电路板。   或者、将新的闪存器件移至 TI 板、以查看是否出现同样的问题。  如果问题出在闪存器件上、这至少可以排除 PCB 设计。

谢谢。

Jason

大家好、 Jason、

下面是修改后的 EVM 的情况。

这里是 TI EVM 的情况(显示)。

TI EVM 情况(引导)

我会看到闪存驱动器发生了什么情况、然后我会再次与您交谈。

谢谢。

樱桃

您好、Cherry：

感谢您尝试闪存驱动器测试。  我们将根据这些信息不断检查其他想法。

谢谢。

Jason

您好、Cherry -

只需要办理入住手续就行了。 请告诉我们、TI 是否可以做些其他事情来帮助解决此问题？ 否则、我们将关闭该主题。

谢谢！

罗斯  

大家好、Jason、

我们修改的板使用了封装在 SOP8中的闪存、但您官方网站建议使用 SOP16的闪存。 这就是原因吗？

谢谢、Cherry

您好 Cherry：

感谢您的问题、我们将研究该问题、并会在接下来的几天内与您联系。  感谢您的耐心等待。

此致！

Maxine

您好、Cherry：

很抱歉耽误你的时间。  能否在 DLPC230和闪存器件之间发送闪存连接？  这是 TI 参考原理图：

是的、8引脚器件可能有一些不同之处。  我们尚未在 TI 对该器件进行测试、因此很难确定。

我们会不断检查、但请发送您的闪存区域原理图。

8引脚器件支持的运行模式是否有差异？  请参阅 DLPC230数据表中所需的模式。

谢谢。

Jason

您好、Cherry、 您是否能够解决此问题？   您能否将闪存接口的8引脚原理图发送给我们审阅？   目前我们没有更多的想法。  我们将等待您的下一次更新。

大家好、Jason、

   我们尝试了您推荐的闪存设备 MT25QL128ABA8ESF-OAAT。 但它仍处于引导加载程序模式。

然后系统报告以下错误：

我查看了您的编程手册。 它告诉我、引导模式中的错误35-58是内部错误、需要联系 TI。 我想知道是什么情况导致了内部错误38。

此外、我想通过 DLPC230控制程序软件中的脚本函数擦除闪存内容。 怎么会这样呢? 或者是否有其他方法可以擦除闪存内容？

谢谢。

樱桃

您好、Cherry -

我查看了内部文档以了解错误代码、此处是引导加载程序错误代码38的说明："处理器遇到不可恢复的指令预取异常"。

遗憾的是、此错误代码不能直接指示根本原因。

假设您现在已经尝试了两个不同的闪存部件、这两个部件应该与 DLPC230兼容、我们的怀疑与硬件有关。  您能否将闪存接口的8引脚原理图发送给我们审查？

此致、

罗斯

大家好、Jason、

   我们尝试了您推荐的闪存设备 MT25QL128ABA8ESF-OAAT。 该闪存有16个接口、但它仍处于引导加载程序模式。

这是我们的8接口闪存的原理图。

这是我们整个板的原理图。

 e2e.ti.com/.../7043.DLP.pdf

谢谢。

樱桃

您好、Cherry -感谢您的分享。 让我们与我们的硬件团队一起审查并回复您。

此致、

罗斯

尊敬的 Ross：

  期待您的回复。

谢谢。

樱桃

您好、Cherry：我们明天会回复。

此致、

罗斯

您好、Cherry -  

原理图看起来没有问题。 您是否在此 DLPC230-FLASH 接口上完成了导通性测试、以便验证信号在 PCB 布局上的路由是否正确？

另外、您是否验证这些信号的开关配置是否正确？ 您可以将它们与 TI EVM 进行比较、以了解正确的配置。 需要考虑的关键参数是保持引导、EXT-BOOT-EN 和 ALT-MADR-SEL。

此致、

罗斯

尊敬的 Ross：

我将我的电路板与 TI 电路板的测试引脚进行了比较。 我们电路板上的 Stain-in-boot 和 EXT-boot-EN 与 TI 电路板上的相同。 BOOT 内保持信号为低电平、EXT-BOOT-EN 信号为低电平。 我们电路板上的 ALT-MADR-SEL 与 TI 不同。 ALT-MADR-SEL 信号在 TI 板上为低电平、在我们的板上为高电平。 为什么会发生这种情况？ 是否可以更改 ALT-MADR-SEL 信号？

谢谢。

樱桃