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[参考译文] SN75C1167:两个晶圆厂之间的驱动器&#39保护电路设计差异

Guru**** 2323010 points
Other Parts Discussed in Thread: SN75C1167
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1523694/sn75c1167-about-the-differences-in-the-driver-s-protection-circuit-design-between-the-two-fabs

器件型号:SN75C1167

工具/软件:

大家好!

我对 SN75C1167与 PCN# 20240221006.1相关的驱动器规格有疑问。

在客户执行电路内测试(ICT)时、发现 SHE 和 RFAB 产品之间存在以下差异。

驱动器引脚(引脚13和14)的电压值:

 SHE PRODUCT:0.5v
 RFB 产品:1.2V (显示 OL)

根据以下数据表、这些引脚在 Vcc 和 GND 上都实现了 ESD 二极管。

如果 Vcc = 0V 且引脚12的 DE 为0V、则根据数据表规格、导通驱动器 ESD 二极管的电压约为+/-0.5V。

两个晶圆厂之间的驱动器保护电路设计是否存在差异?

此致、
Toshi

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    驱动器输入引脚为1D/2D (9/15)。

    驱动器输出引脚可能会钳位到 GND、但不会钳位到 VCC。 您的测量结果表明、RFB 芯片没有连接到 GND 的二极管钳位、因此我想 ESD 保护是以另一种方式实现的。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Toshi:

    我认为谢尔曼制造使用了90年代的旧工艺技术、这些技术主要基于 BJT。 RFAB 制造的较新工艺技术是 CMOS。 因此、两者之间的设计不同。 (您不能将设计从旧工艺技术复制到新工艺技术)。 因此、您可能会看到较新芯片在 ICT 方面的差异。

    - Bobby

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    克莱门特-桑
     感谢您指出规格中的驱动程序。

    Bobby-san,  
    我知道 RFAB 芯片已经完全重新设计。
    我对此有疑问。

    IO (OFF)规格如下。

      当 Vcc=0V 且 Vo=6V 时、Io (off)=+100uA (max)
      当 Vcc=0V 且 Vo=-0.25V 时、Io (off)=-100uA (最大值)


    这意味着高阻态保持在最高 Vo=6V 是正确的吗?
    此外、RFAB 芯片是 CMOS、这是否意味着该值可能小于谢尔曼芯片?

    驱动器 Vo 的绝对最大额定值为-0.5V 至7V。
    Iok 为+/--20mA。
    驱动器钳位电压是-0.5V 和7V 吗?

    提前感谢您。
    此致、
    Toshi

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    这是否正确意味着 HiZ 保持在最高 Vo=6V?

    是的、我也按照这种方式解释该规格。 我相信、如果器件未通电且您将电压拉至6V 以上、则会因二极管开始导通而出现电流尖峰。  

    此外、由于 RFAB 芯片是 CMOS、这是否意味着该值可能小于谢尔曼芯片?

    我不认为它可以保证更小、因为这与晶体管值没有直接关系。 我认为导通/泄漏可能来自二极管/ESD 单元。

    [引述 userid="4302" url="~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1523694/sn75c1167-about-the-differences-in-the-driver-s-protection-circuit-design-between-the-two-fabs/5860173 #5860173"]驾驶员 Vo 的绝对最大额定值为-0.5V 至7V。
    Iok 为+/--20mA。
    驱动器钳位电压是-0.5V 和7V 吗?

    绝对最大电压是客户需要确保的系统级要求。 这并不意味着我们的器件会将电压钳位到这些值。

    - Bobby