[参考译文] TRS3222E：TRS3222EIPWR 上 IEC 61000-4-2 的旁路电容器要求

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1554589/trs3222e-bypass-capacitor-requirement-for-iec-61000-4-2-on-the-trs3222eipwr

器件型号：TRS3222E

工具/软件：

在当前可用的 TRS3222E 数据表 — SLLS793A - 2007 年 6 月 — 2021 年 8 月修订版中、6.3 ESD 等级 — IEC 规格有一条脚注、似乎规定、当第 9.2 节中的典型应用图中仅显示使用了 0.1 μ F 时、需要使用 1 μ F 或更大的电容器作为旁路电容器以满足数据表规格。这是数据表上的拼写错误吗？还是真正需要 1 μ F 旁路电容器？

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2473260 points

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您好 Gerald、

ESD 部分中的脚注是由于该器件新设计的芯片所致。如果有新的芯片、则需要使用 1 μ F 电容器来满足 ESD 等级要求（我相信新芯片是我们从现在开始将要制造的芯片，因此最好从现在开始设计包含 1 μ F 电容器的原理图。）

[引述 userid=“184218" url="“ url="~“~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1554589/trs3222e-bypass-capacitor-requirement-for-iec-61000-4-2-on-the-trs3222eipwr ]数据表中是否有此拼写错误？还是确实是一个 1 μ F 的必需旁路电容器？

数据表的应用部分未更新以包含 1uF 电容器（在更新过程中错过了此内容）。请使用一个 1uF 去耦电容器、放置在尽可能靠近 Vcc 引脚的位置、并使用可靠的 GND 基准。

- Bobby

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[参考译文] TRS3222E：TRS3222EIPWR 上 IEC 61000-4-2 的旁路电容器要求