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[参考译文] DP83869HM:2 级 Strap 配置修订版本

Guru**** 2538955 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1563567/dp83869hm-2-level-strapping-revision

器件型号:DP83869HM
主题:DP83869 中讨论的其他器件

工具/软件:

它可能与之有关的人:  

请注意、DP83869 数据表的版本从 C 到 D、更新了“四级配置 (strap) 模式 0 Rlo 建议从 2.49k 更改为开路“。 我假设参考表 10 2 级 Strap 配置电阻比而不是 4 级 Strap 配置、因为模式 0 Rlo 从 2.49k 更改为开路。

修订版 C:

修订版 D:

考虑到这一点、我们遵循了数据表修订版 C (2 级应用的 Rlo = 2.49k)。 几个问题:

-这种自举电阻变化的原因是什么?

-您建议我们不安装 Rlo 以与修订版 D 保持一致吗?

-由于 JTAG_TDO 是一个多用途的引脚,如果我们计划使用 JTAG 边界扫描,我们该如何将它绑定?

谢谢、

Brendan

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Brendan、

    我们更新了 Rlo 值、因为 DP83869 在 2 级配置 (strap) 引脚上具有内部下拉电阻。

    如果未使用搭接电阻器、内部下拉电阻器会将这些搭接拉至低电平、因此不需要 Rlo。 可以保留 Rlo、但将其移除会节省 BOM 成本、因此我们进行此更改的原因。

    -由于 JTAG_TDO 是一个多用途引脚、如果我们计划使用 JTAG 边界扫描、我们应该如何将其设置为带?

    任何 自举电阻器都应足够弱、不会干扰 JTAG 运行。 这类似于 MAC 接口数据引脚也是配置 (strap) 设置的方式。

    我希望这对您有所帮助、如果您还有其他问题、请告诉我。

    此致、

    Shane

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    嗨、Shane、

    我明白了。 因此、如果是这样、我看不到模式 0 的 Vmax 如何接近 0.18 x VDDIO、除非内部也有上拉电阻器。 我在此处的论坛中找到了此图:  DP83867E:Strap 配置状态寄存器 (0x6e) 复位?

    对我来说、好像 在上电和复位期间有一些比较器、然后在正常工作期间切换到缓冲器。

    此外、根据图 6-1 上电时序和 6.6 时序要求中的 T1-T3、是否说在 VDDIO 为高电平之后、RESET 应保持低电平至少 200ms、以便允许正确读取硬件配置 (strap)?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Brendan、

    除非内部也有上拉电阻、否则我看不到模式 0 的 Vmax 如何接近 0.18 x VDDIO。

    VMAX 是可  在配置 (strap) 引脚上提供的最大电压、将作为模式 0 锁存。  DP83869 不通过内部上拉电阻提供此电压。 实际上、如果自举进入窗口期间没有连接外部上拉电阻、我预计电压读数会达到或接近 GND。

    • 我不确定该图像的来源、因为它看起来是在链接的 E2E 帖子中制作的。  在配置 (strap) 锁存阶段、不应有内部上拉电阻。 对于内部自举下拉电阻、我将遵从数据表的图 7-15。
    在 VDDIO 为高电平之后、复位应保持低电平至少 200ms、以便允许正确读取硬件配置 (strap) 吗?

    RESET 应保持低电平 200ms、以便 PHY 可以正确初始化和稳定。 我的理解是、允许复位上升后立即读取配置 (strap) 引脚。  实际上 、如果 PHY 保持在复位状态、则不应锁存自举。 在这种情况下、我认为 T3 反映了在 200ms (T1) 释放复位时的自举锁存点。  

    • 简而言之、200ms 不是为了读取配置 (strap)、而是为了让 PHY 在上电后稳定下来。 应在复位置为无效后读取配置 (strap)。 我将在内部对此进行讨论以确定、如果需要任何更正、我将在此主题上进行更新。

    此致、

    Shane