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[参考译文] SN65LVDS1:SN65LVDS1 VOCM 在连接到 50 Ω 单端终端时会崩溃至~100mV

Guru**** 2652705 points

Other Parts Discussed in Thread: LMH13000, SN65LVDS1, LMH13000RQEEVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1588138/sn65lvds1-sn65lvds1-vocm-collapses-to-100mv-when-connected-to-50ohm-single-ended-termination

器件型号: SN65LVDS1
主题中讨论的其他器件: LMH13000RQEEVM、LMH13000

您好 TI 支持团队:

我们遇到了 SN65LVDS1 输出共模电压 (VOCM) 不符合 1.2V 规格的问题。

症状:
 我们使用 CMOS H/L 信号来驱动 SN65LVDS1 (VCC = 3.3V) D 输入。
Y/Z 输出连接到 LMH13000RQEEVM 的 J_EP/J_EN 输入。
测量 Y/Z 输出(以 GND 为基准)时、VOCM 仅为~100mV。 信号从约 0mV(低)到 200mV(高)摆动。

分析与问题:
 我们查看了 LMH13000RQEEVM 原理图 (SLOU587)。 交流耦合电容器 (C23、C24) 为 DNI(请勿安装)。 默认情况下、EVM 输入 (J_EP、J_EN) 通过 50 Ω 电阻器(单端端端接)端接至 GND、而不是差分端接。
当标准 LVDS 驱动器 (SN65LVDS1) 预计有 100 Ω 差分负载、而是通过两个 50 Ω 电阻器端接至 GND 时、这种观察到的行为 (VOCM 折叠至~100mV) 是否是预期的结果?
此配置(将 50 Ω 负载驱动至 GND)是否有损坏 SN65LVDS1 驱动器的风险?
要正确连接这两个器件、我们是否需要通过移除 50 Ω 接地电阻并在 Y 和 Z 之间添加一个 100 Ω 差分电阻器来修改 EVM?

谢谢你。

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    您好 Tanaka-San、

    我将移除连接到 GND 的 0 欧姆电阻器 (R22)、然后查看这样是否解决了问题。 这肯定会降低共模电压。 如果您想确认 SN65LVDS1 而非此 EVM 是否存在问题、我会将其连接到另一个电路板上的不同 100 Ω 负载、然后查看问题是否仍然存在。

    此致、

    马特  

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    尊敬的 Matt Smith-san:

    我已经测试了该设置并确认 SN65LVDS1 正常运行。
    非常感谢您的帮助—它非常有帮助。
    现在问题似乎与 LMH13000RQEEVM 侧的配置有关。

    在 SN65LVDS1 和 LMH13000RQEEVM 通过 LVDS 连接的环境中、我打算控制 LMH13000RQEEVM 以驱动 VCSEL。
    LMH13000RQEEVM 板上的接线未修改为出厂默认值。
    - SN65LVDS1 的 Y 端子连接至 LMH13000RQEEVM 的 J_EP 端子。
    - SN65LVDS1 的 Z 端子连接至 LMH13000RQEEVM 的 J_EN 端子。
    - J_EP 和 J_EN 端子用于控制脉冲宽度和脉冲周期。
    J_VSET 端子用于控制电流。

    LMH13000RQEEVM 设置当前如下:
    - J1:开路
    - J_RBIAS_CTRL:短引脚 1-2(AVDD 侧)
    - J_MODE_SEL:短接引脚 1–2(AVDD 侧)
    - J_PD_SEL:短接引脚 2–3(GND 侧)

    我非常感谢对这种配置的任何评论或指导。

    谢谢你。

    此致、
    田中聪美

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    您好 Satomi-San、

    LMH13000 EVM 旨在支持单端和差分 LVDS 输入。 要使用 LVDS 输入运行它、您需要移除 R22 并断开 J1、这样它将在 EP 和 EN 之间具有 100 Ω 差分 (R7+R10) 的电阻。

    其他配置看起来正常。 您希望使用 LMH13000 驱动多少输出电流? 如果电流小于 1A、您还可以通过短接  J_MODE_SEL 跳线的引脚 2 和 3 在低电流模式下运行器件。

    此致

    Anant

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    尊敬的 Matt Smith-san:

    非常感谢您的及时答复。 按照您的指导、我们将首先移除 R22。
    我们计划使用 LMH13000 来比较 VCSEL 和 IRLED 在改变驱动条件时的发射模式和输出。
    为此、我们想使用 J_MODE_SEL 在高电流模式和低电流模式之间切换。
    再次感谢您的支持。

    此致、
    田中聪美

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    尊敬的 Anant:

    我为我的疏忽而道歉。
    您也是之前使用 LMH13000RQEEVM 为我们提供支持的人员。
    我期待与您合作。

    此致、
    田中聪美

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    尊敬的 Anant-san:

    移除 LMH13000RQEEVM 上的 R22 后、我能够观察到 LVDS 信号已正确输入 LMH13000RQEEVM。 但是、IOUT 保持高电平状态、并且不会因输入脉冲波形而变化。
    为了进行测量、我将 10Ω 和 100Ω 的虚拟电阻器连接 到 IOUT。 此外、我还 从 J_VLD 提供 5V 电压。
    您能否就此问题向我提供建议?
    非常感谢您的帮助。

    此致、
    田中聪美

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    尊敬的 Anant-san:

    我还有一个关于 LMH13000RQEEVM 的问题。
    我通过控制施加到 VSET 引脚的电压来尝试调节输出电流 (IOUT)。
    我使用微控制器的 GPIO 向 VSET 提供该电压。
    但是、微控制器的驱动能力有限。 由于电阻 R24(VSET 和 GND 之间)是 50Ω、因此微控制器无法将 VSET 引脚驱动至所需的最大值 2V;由于重负载、它会在 0.2V 左右饱和。
    为了使用微控制器实现适当的电压控制、是否可以将 R24 替换为 10kΩ 电阻器?
    或者、如果有推荐的高阻抗驱动替代方法、请告诉我。

    非常感谢您的持续支持。

    此致、
    田中聪美

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    Satomi San,

    您可以探测 LMH13000 引脚上的 EP 和 EN 信号并共享波形。

    至于 R24、为了匹配仪器交流输入的源阻抗、电阻保持为 50 欧姆、这样就不会发生信号反射。 (对于较低的频率和较短的电缆长度,阻抗匹配不重要)   

    但是、由于从微控制器到 VSET 是直流输入、因此您可以 使用 10k Ω 电阻器替换 R24、而不会出现任何问题。

    此致

    Anant

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    尊敬的 Anant-san:

    我很高兴地通知您、问题已解决!
    听从您的意见、我将 R24 替换为 10kΩ 电阻器。
    我还确认、移除 R22(根据 100Ω 端接的数据表)可以解决输入信号问题。
    完成这些修改后、我能够从微控制器正确控制 VSET 电压、并确认输出 (IOUT) 现在可以作为脉冲波形正确切换、从而与我的输入设置相匹配。

    非常感谢您在此过程中提供的准确建议和支持。
    我非常感谢您的帮助。

    此致、
    田中聪美