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[参考译文] TLIN1028EVM:TXD 引脚上的下拉电阻以及如何提高 BCI 性能

Guru**** 2670045 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1589676/tlin1028evm-pull-down-resistor-at-txd-pin-and-how-to-improve-bci-performance

器件型号: TLIN1028EVM

您好的团队、

请帮助对以下问题提供一些意见。

  1. 在 EVM 原理图中、TXD 引脚处有一个 51 Ω 下拉电阻器、它的功能是什么? 同时、还有一个 350k Ω 内部上拉电阻器、有什么好处? image.png
  2. 对于 TXD 引脚上的内部电阻器、在 TLIN1028 中是一个上拉电阻器、而在其他器件中是下拉电阻器(如 TLIN1039)。 如果可能、它们的区别是更可取的上拉或下拉、原因是什么?
  3. 当客户根据 ISO11452-4-2020 标准进行 BCI 测试时、他们发现、在 200mA 注入的测试条件下、器件无法正常运行、受低于 15MHz 带宽的干扰的影响、而竞争对手的芯片性能正常。 下面是 VSUP 引脚的原理图。 一个 100pF 下拉电容器连接到 TXD、RXD 和 LIN 引脚、但不会在 TXD 引脚上添加下拉电阻。 是否有任何措施可以提高该性能、下拉电阻器是否有助于解决该问题? image.png

此致、

Eileen

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Eileen:

    当 TXD 悬空或保持开路时、内部上拉电阻确保 LIN 为隐性。  EVM 电阻器仅用于焊盘放置、让用户能够灵活地应对额外变化。

    2.这是基于数据表中提到的 DTO 特性。 这取决于客户是否偏好其 MCU 在断开连接时的行为方式。 即、可以根据需要选择为隐性的上拉默认情况下意味着 MCU 断开连接时会发生意外的总线活动、如果客户依赖 TXD 为低电平来实现特定的 DTO /唤醒行为、则默认情况下会选择下拉为显性状态。

    3. BCI 故障通常与布局/去耦和线束注入相关。 如果高于 20 到 30MHz、VBAT 去耦看起来很好。 15MHz 很可能通过 TXD/RXD/LIN/GND 结构耦合、并假定 100 pF 靠近 IC 引脚、而不是线束侧。 在某些情况下、TXD 上的下拉会有所帮助、从而为感应电流提供返回路径。 串联阻尼电阻器 应更大程度地发挥作用 (典型值 33 - 100 欧姆,并可以相应地进行调整)、同时确保所有电容器返回到与 IC 相同的 GND 的实心 GND 环路。 请参阅此 报告 、了解有关器件 BCI 测试的更多信息、谢谢。

    此致、

    Michael。

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    您好、Michael:

    请检查客户的原理图和布局。 BCI 测试是否需要改进?

    下面是 VSUP 引脚的原理图、以及原理图和布局的其他部分。 由于机密性原因、客户很难发送 SCH 和 PCB 文件。

    此致、

    Eileen

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    尊敬的 Eileen:

    是的、您能否帮助确认   是否包含串联阻尼电阻建议(典型值 33 - 100 欧姆,可以相应地进行调整)、同时确保所有电容器返回到与 IC 相同的 GND 的实心 GND 环路没有任何帮助、同时还能与有关器件 BCI 测试的该报告进行比较?

    此致、

    Michael。

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    您好、Michael:

     您指的串联阻尼电阻是所有 TXD、RXD、LIN 和 GND 上的这四个引脚? 除此之外、他们的原理图和布局是否还有其他需要改进的地方?

    此致、

    Eileen

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    尊敬的 Eileen:

    串联阻尼电阻用于 IO 引脚 TXD/RXD、无需额外的电阻、因为我建议确认问题是否得到缓解、感谢多少。

    此致、

    Michael。