[参考译文] TLK1501：TLK1501-正确的 RREF 值

尊敬的 Mehmet：

1.我建议遵循数据表中的建议值 200 欧姆。

2.交流耦合常见于高速接口。  这允许将具有不同终端偏置电压的器件连接在一起。  此外、这有助于消除作为接地不平衡中可能发生的直流电流路径的数据线。  我推荐使用交流耦合。

3.不幸的是,我没有这个数据可用。

谢谢、

Drew

尊敬的 Mehmet：

对此延迟深表歉意。  在与一些同事讨论后、我认为我可以帮助澄清您的意见。

您可能已经注意到、数据表中直流耦合和交流耦合模式之间存在差异（图 15 和 16）。  具体来说、器件 TX 侧的直流耦合缺少 Rt。  这源于功率损耗和回波损耗之间的权衡。  交流耦合拓扑改善了回波损耗、但需要增加偏置电流才能实现相同的振幅。  具体来说、对于相同的偏置电流、我们预计直流耦合情况的振幅是交流耦合情况的 2 倍、因为直流耦合情况在 TX 上缺少 Rt。

通过减小 RREF、会增加偏置电流。  这提高了 VOD 与直流耦合情况更具可比性。

回顾我们关于 200 欧姆的初始建议、我认为数据表更侧重于直流耦合情况、这就是建议的来源。  我认为有一些数据点支持将 100 Ω 用于交流耦合用例：

• EVM 使用交流耦合拓扑、并使用 100 Ω
• 我们知道、交流耦合拓扑可以降低振幅、因此增加偏置电流进行补偿是合理的。
• 您正在观察到与 100 欧姆的良好通信

谢谢、

Drew