[参考译文] ESD601-Q1：ESD601-Q S 参数

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号： ESD601-Q1

我目前正在使用 ESD-01 TVS 二极管 并分析其 S 参数。而数据表提供的测试电路以 A 显示 串联配置 、在我的实际应用中、TVS 连接在中测量 —引脚 1 或引脚 2 直接连接到 GND。

在射频频率下、这种并联放置使 TVS 充当低阻抗分流器、从而严重衰减高频信号并影响信号完整性。这实际上无法保护高速射频电路、因为该保护机制会与不受阻碍的信号传输的需求发生冲突。

鉴于测试设置与实际射频应用之间的这一矛盾、如何在不降低信号性能的情况下有效利用 ESD-01 在射频电路中实现 ESD 保护？

0 admin 3 个月前

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关于 ESD-601 器件的 S 参数测试设置、因为测试配置和实际应用之间似乎存在差异。

根据提供的 S 参数数据、在中对器件进行了测试 串联配置 、其中引脚 1 和引脚 2 串联、并测量 S11、S22 和 S12 等参数。数据表还指出、在此测试设置下、引脚 1 和引脚 2 是 50Ω 匹配的。

但是、在实际射频电路设计中、几乎总是使用 ESD-601 并行配置 、其中一个引脚直接接地。这会导致测试条件和实际应用之间严重不匹配。因此、提供的 S 参数无法准确反映器件在实际电路中的性能、因此很难评估其在高频下对信号完整性和 ESD 保护有效性的影响。

请您澄清一下：

0 admin 3 个月前

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嗨、Haohao、

ESD601-Q1 几乎始终将用于并联配置、因此 ESD 事件有一条接地路径（如下图所示）。

当我们收集 s 参数数据时、我们使用 ESD EVM。原理图如下所示。一个引脚接地、另一个引脚连接到两个端口。

当我运行上面所示的两个仿真时、左侧的仿真显示了我对 S21 的预期结果。当我运行右侧并选择 S21 显示时、我得到了 S11 的预期。基于此、我相信左侧仿真图像是正确的。

此致、

McKenzie

0 admin 3 个月前

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您好、McKenzie：

我想说、如果使用左侧仿真电路、如何保护电路？

如果使用正确的仿真、即使它也会改变端口 1/2 的阻抗。端口 1 的信号不会传输到端口 1、如下所示

0 admin 3 个月前

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嗨、Haohao、

下图看起来终端已连接到器件的引脚 1 和引脚 2、但这是一个误解。收集 s 参数数据时、器件的引脚 2 接地、而引脚 1 连接到双端口系统。然后、按照下图执行此操作。接地连接为引脚 2、两个端口连接（两个终端）通过引脚 1。

当您在电路中保护器件时、您应遵循下面的原理图。

此致、

McKenzie

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