Other Parts Discussed in Thread: TIOS102
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部件号： TIOS102
我正在评估 TIOS102 而且我需要了解该器件的相关信息 VCC (min) 规格及其与内部 P‑通道 FET 结构的关系。
根据数据表、 VCC 的 (min) 为 4.75V 。 但是、根据简化的内部图、VCC 似乎直接连接到 内部 P‑通道 MOSFET 的源极 。 原则上、如果：
VDS >(VGS−VTH)
即使源电压低于 4.75V、P‑通道仍应能够将源电压传递到 OUT 引脚
我的应用程序：
我尝试使用 TIOS102 通过测试 斜坡电压 连续变化 0V 至 21V 。 本质上、VCC 本身将在整个范围内进行扫描、我想跟随它。
不过、如果器件需要的话 VCC≥4.75V 在 4.75V 之前、斜坡不会开始通过、这在我的设计中是不可以接受的。
我的问题：
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VCC (min) 在 4.75V 下指定的实际原因是什么？
这是由于内部控制逻辑、栅极驱动要求、内部 LDO 还是与 P‑FET 结构无关的原因造成的？ -
如果 VCC 低于 4.75V（例如 2V）、器件的行为是否仍然像简单的导通 FET 一样、或者即使 MOSFET 物理特性通常允许传导、输出是否会被阻止？
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TIOS102 从根本上不能通过低于 4.75V 的电压、还是数据表最低电压值与保护/控制电路（例如状态报告，故障检测）严格相关？
目标摘要：
- A 0V 至 21V 模拟斜坡 流经推挽输出端。
- OUT 必须始终遵循 VCC 直至~Ω 0V 。
- 寻求有关 TIOS102 是否可以支持该功能或更合适的另一个 TI 器件的说明。 那么也可以接受这种设置。
随附的图像展示了我需要重现的斜坡波形类型。 
提前感谢您的帮助。
