[参考译文] DP83826AE：DP83826A：如何在 MDI 线路上为 100M 模式配置集成终端

您好干草、

根据链接的 E2E 主题、没有用于  在 100M 模式下直接调优 MDI 终端值的寄存器：

MDI 具有内部端接、因此无需添加外部 100 Ω 端接。  

出于好奇心、为什么要更改 MDI 上的端接值？ 如果需要调整 100M 信号的摆幅电平、请考虑使用寄存器 30B 和 30C

此致、

Shane  

尊敬的 Shane：

感谢您的回答和确认、MDI 具有 100M 的内部固定 100 欧姆端接、不能像 10M 那样调整该值。

我想知道、如果我们想保护该 PHY 免受热插拔 EtherCAT P 的影响（TX+和 RX+上的恒定 24Vdc、通过与 PHY MDI 引脚串联 1uF 去耦）、我们有什么选择。 可以在 PHY MDI 引脚上串联一些小电阻器、以限制由内部 ESD/EFT/浪涌保护机制处理的电流。 但当在内部端接为固定的 100 Ω 时、引脚上的这些额外串联电阻器将增加总端接电阻。

其思路是、如果内部端接可设置为例如 94 欧姆（例如 10M）、则所有 MDI 引脚的串联电阻可能为 3 欧姆、总端子电阻为 100 欧姆。

不应进行热插拔 EtherCAT P。 但是、我们希望保护 PHY、以防有人意外地这样做。 或者、DP83826A 作为适用于工业以太网和 EtherCAT 的 PHY、是否可以在不添加外部元件的情况下处理热插拔 EtherCAT P？

此致、

干湿

您好干草、

[报价 userid=“143038" url="“ url="~“~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1618696/dp83826ae-dp83826a-how-to-configure-integrated-terminations-on-mdi-lines-for-100m-mode/6241278 “](TX+和 RX+上具有恒定 24Vdc、通过与 PHY MDI 引脚串联的 1uF 去耦电容器[/报价]

通常、PHY 和 RJ-45 端口之间会存在磁隔离。 DP83826 支持电容耦合 数据、但我不确定我们是否已经测试过采用 PoE 的电容耦合。 在我看到的 PoE 设计中、会在变压器的 RJ-45 侧施加直流电压、以防止该电压到达 PHY 的 MDI 引脚。 能够处理该电压的电容器在这里也可能起作用。  

DP83826A 作为适用于工业以太网的 PHY 并适用于 EtherCAT、是否可以处理热插拔 EtherCAT P

只要 PHY 与此 24VDC 隔离、DP83826A 就不需要诸如电阻器等外部元件。 如果瞬态电压可以到达 DP83826A、您可能需要在 PHY 和隔离元件之间添加 ESD 二极管、例如我们在DP83826AEVM 上所做的那样。  

我们有一些实现 PoE 的参考设计。  本 E2E 主题 列出了这些问题、可作为有用的参考。

此致、

Shane

尊敬的 Shane：

与“PoE"相比“相比、EtherCAT P“略有不同、并使用电容器将数据与 DC+数据分开、之后可以使用正常的以太网磁性元件（非 PoE）。

EtherCAT P 在 TD 上为 24V _P 线路（也在 RD_P 线路上）和 TD 上为 0V _N （也在 RD_N 行上）。 这产生的结果是、在热插拔时、24V 脉冲会通过电容器和磁性元件传递到 PHY。

为了防止这种脉冲、实际上可以添加额外的 ESD 二极管、但也可能需要在 PHY MDI 引脚上使用小电阻器来保护 PHY。 我看到 DP83826AEVM 提供了使用零欧姆跳线 R52、R111、R112 和 R113 放置这些电阻器的选项：

但将其放置确实会影响总端接电阻。 这就是最初问题的原因、即 100m 可能会略微降低内部端接电阻、就像 10M 可能达到的水平。 但这已经得到解答。

如果我们需要这些用于保护和 100M 通信的小型串联电阻器、则需要一个不带内部端接的 PHY、这样就可以在这些小型串联电阻器的磁性元件侧应用外部 100 Ω 端接。 还是看到另一个选项？

此致、

干湿