This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TMS320C6746:DDR2 的端接

Guru**** 2779745 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1615586/tms320c6746-termination-for-ddr2

部件号: TMS320C6746

根据数据表、似乎不建议使用 JESD79-2 指定的 VTT。
我不确定是否要设计仅使用串联端接而不使用端接 IC 的硬件。
非常感谢您的建议。

图 6-18. DDR2/mDDR 单存储器概要原理图包含以下有关端接设置的注释:

根据需要放置终端电阻。 请参阅有关端接电阻器的注释。

有关终止的部分为:

.4.4.3 DDR2/mDDR
•CLKP/CLKN 引脚上不允许并联终端。
•如果使用端接、则 DDR2/mDDR 驱动强度应设置为全强度。 否则、
驱动强度应设置为半强度。
•任何 DDR 引脚上都不允许存在上拉或残桩。
•对于 DQS 和 D 网类别:
–路线必须是点对点的。 –不需要也不建议在字节之间进行偏差匹配。 –两类之间的偏差不应超过 25mil。
•时钟和 DQS 网类别布线长度需要进行布线、以便两个网类别之间的偏差满足 tDQSS 时序参数。

6.11.3.9 DDR2/mDDR 信号端接
为满足信号完整性和过冲要求、无需任何类型的端接。 如果需要、允许使用串行端接器来降低 EMI 风险;但是、串行端接是唯一允许的类型。  

请建议如何解释上述内容。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您可以设计用于串联端接的电路板、并根据需要调整电阻。  如果您能够使用 0 Ω 电阻器实现稳健运行、那么您有机会在电路板的未来版本中设计出电阻器。

    此致、

    James

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、James。

    这是否意味着我可以在设计时不使用 VTT 端接?

    提前感谢您。
    Yamada

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    是的、 当存在更多的存储器元件和更长的布线时、需要针对 DRAM 的 VTT 端接。  如果将单个存储器器件与 C67x 配合使用、通常可以在没有 VTT 终端的情况下进行设计。  有关点对点端接的最佳信息来源可在 Micron 网站上的技术说明 TN-46-06 和 TN-46-14 中找到。  C67x 使用串联端接、而不是连接到 VTT 的上拉电阻、以更大限度地减少所需的元件数量并更大限度地降低功耗。  使用 VTT 端接会引入始终存在的恒定直流电流、串联端接模型中消除了这一问题。  如果遵循数据表中提供的设计和布线指南、则   在没有 VTT 电源的情况下即可实现可接受的信号完整性。

    此致、

    James

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、James


    我查看了您提供的技术文档。
    我将根据建议的布局完成设计。

    非常感谢。
    Yamada