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[参考译文] DP83869HM:DP83869HM:审查 SGMII 模式设计原理图 (1000Mbps)

Guru**** 2782615 points

Other Parts Discussed in Thread: DP83869HM, DP83869EVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1619493/dp83869hm-dp83869hm-review-schematic-designed-for-sgmii-mode-1000-mbps

器件型号: DP83869HM
主题中讨论的其他器件: DP83869DP83869EVM

您好、

我们使用的是  DP83869HM 采用 SGMII 模式 (1000Mbps) 并采用 2 电源配置的以太网 PHY。 SGMII 接口连接到 MPU、MDI 信号连接到 RJ-45 连接器。

请查看所附的原理图、并阐明以下问题:

eth_phy (1).png

  1. 只要 IO 引脚的电压电平为 1.8V、是否需要连接 3.3V 电源?
  2. 1.8V、2.5V 和 1.1V 电源轨上使用的 EMI 滤波器是否足以抑制噪声?
  3.  连接到 RX_D[3..0]、JTAG_TMS、JTAG_TDI 和 JTAG_CLK 的上拉电阻器是否正确配置为将 SGMII 设置为铜缆模式?
  4. 我们在 VDDIO = 1.8V 的情况下使用 PHY。当前连接对于该配置是否正确?
  5. SGMII 模式的时钟频率为 625MHz。 用于 SGMII 运行的晶体振荡器频率应该是多少?
  6. 是否需要 3 电源配置、或者 2 电源配置是否足够? 如果需要 3 电源配置、在什么条件下需要配置?
  7. 为什么以及何时需要在 SGMII 线路上的 MPU 和以太网 PHY 之间使用耦合电容器?

谢谢你
Rajeev Kumar

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Rajeev:

    1.不需要、如果使用 1.8V VDDIO、则不需要 3.3V 电源。 DP83869 所需的唯一电源轨是 2.5V、1.1V 和 VDDIO。

    2.您的去耦方案在电源轨上看起来很好。

    是的、当 JTAG_TDO 被拉至低电平时、RX_D2 和 RX_D3 被拉至高电平。 这会将 PHY 配置为 SGMII 转铜缆

    4. PHY 会检测到 VDDIO 电压。 您也将 I/O 引脚上拉至 VDDIO 电源轨、正确无误、但我建议去掉 MDC (R64) 上的上拉电阻。 MDC 不需要上拉电阻。

    5.晶体振荡器在所有工作模式下都应该是 25MHz。

    6. 2 电源配置就足够了。 3 电源配置可以降低 PHY 的总体功耗、但在功能上等同于双电源运行。

    7、SGMII 线路上的 PHY 和 MPU 之间始终需要交流耦合。 这是为了隔离任一侧的共模电压。

    我们有一份DP83869 原理图检查清单、可用于在此 PHY 中进行设计。 我建议查看“Pin Wise Checklist“选项卡、以深入了解每个引脚。 图像中的高速连接看起来可以正常、但我建议使用直通 ESD 二极管、例如我们 DP83869EVM 上使用的二极管:

    此致、

    Shane

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    嗨、Shane、

    感谢您的答复。 您能 给我们讲讲 ESD 保护二极管的精确性吗? 我们已经在 MDI 信号上使用了 TVS 二极管。

    此致、
    Rajeev Kumar

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    尊敬的 Rajeev:

    最好使用直接通过 MDI 布线的 ESD 二极管、而不是使用挂起在 MDI 布线一侧的 ESD 二极管。 在原理图中、ESD 二极管看起来连接在 MDI 布线中的一个点、而不是通过二极管本身的物理布线。

    例如、DP83869EVM 上使用的 ESD 二极管通过 MDI 布线、从而更大限度地减少 MDI 布线上的残桩。 残桩是使主信号路径“挂起“的布线部分。 这些残桩会增加信号反射并降低信号质量。 如果可能、我建议切换到可通过信号的二极管、例如 TPD4E05U06DQAR

    此致、

    Shane