[参考译文] SN65LVDS32：使用 SN65LVDS32PWR 和 SN65LVDS31PW 进行设计

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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1633473/sn65lvds32-desiging-with-sn65lvds32pwr-and-sn65lvds31pw

器件型号： SN65LVDS32

您好团队：
我们在其中一个 PCB 中使用收发器 SN65LVDS32PWR 和 SN65LVDS31PW。

这些 IC 用于将单端 SPI 信号转换为 LVDS 信号、反之亦然。

SPI 信号由 FPGA 生成。
该 FPGA 将模拟差分 SPI 传感器（例如虚拟孪生）的作用。

现在、我们需要将传感器的老化参数纳入 FPGA 中。
对于老化、SPI 线路中需要偏移和漂移。

我们该如何在 LVDS SPI 线路中获得老化。
如果我们将容差电压 (GND=0V) 调整到某个其他电压、我们是否可以得到偏移？

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5 个月前

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 2917940 points

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尊敬的 Sv：

我们在器件规格中未指定老化漂移。相反、数据表中提供的最小值/最大值在器件工作寿命内得到保证。对于这些器件、我们在 125°C 下运行 HTOL 1000 小时。 https://www.ti.com/quality-reliability-packaging-download/report?opn=SN65LVDS32PWR https://www.ti.com/quality-reliability-packaging-download/report?opn=SN65LVDS31PWR

现在、关于 GND 电压电势是否发生变化的问题、没有太大的容差。该器件的 Vcc 输入电压范围为 3.0V 至 3.6V（相对于 GND）。如果 GND 电势发生变化并使 Vcc 超出建议范围、则器件将无法正常工作。

此致、

马特

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2917940 points

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您好、Smith、
感谢您的答复。

对于实际的传感器/系统、我们可以预计 GND 会发生变化、即数字线路差分信号的共模电压。

对于 AFE、我们可以预期失调电压、基准电压会发生变化等。

由于我们使用的是 FPGA、这些收发器用作传感器、

我们的想法是、我们将保持驱动器 IC 的 VCC 本身为 3.6V、GND 将上升到比接地高 0.6V。
仍然器件上的有效电压保持为 3V。

如果我们这样对 GND 进行移位、可以更改差分线路中的任何参数、例如 VOD 或 VOC？

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0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 2917940 points

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尊敬的 Sv：

相对于什么而言、GND 偏移是什么？是在 2 个电路板之间还是以一个电路板的本地 GND 为基准？我在上一次回复中描述的电路板的本地 GND。如果您在 2 个电路板之间移动 GND（其中一个电路板具有发送器，另一个电路板具有接收器）、则 LVDS 信号的共模电压将与 GND 偏移成比例变化。为了使接收器接收逻辑高电平或逻辑低电平、差分电压只需为+/- 100mV。底线：只要 GND 变化不会导致共模电压违反建议的工作条件（见下文）、规格就不会超出其限值。

此致、

马特

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