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[参考译文] HD3SS3212:HD3SS3212 VBIAS

Guru**** 2923960 points

Other Parts Discussed in Thread: HD3SS3212

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1634111/hd3ss3212-hd3ss3212-vbias

器件型号: HD3SS3212

你(们)好

HD3SS3212 的数据表对偏置电压要求有点模糊。 我的应用使用 LVDS。 HD3SS3212 两侧的 LVDS 是交流耦合的、这不是我可以更改的。

在 HD3SS3212 的数据表中、它显示“VBIAS 可以是 GND“。 未提及 VBIAS 电阻器的值。

您能否阐明一下、可以如图 6 所示连接 100k Ω 电阻器并将接地端用作 VBIAS?

 

此致、Jovnas

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    你好 Jovnas,

    仅当线路上的共模电压高于 2V 时、才需要偏置电压。
    偏置的目的是确保引脚的 I/O 承受的电压处于器件的建议运行条件内。

    如果应用中没有共模电压超过 2V 的风险、则不需要 VBIAS。  
    如果存在风险、则 VBIAS 应为 1.8V、并使用 1k 电阻器上拉。

    谢谢、

    NIR  

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    您好 NIR,感谢您的快速答复。

    数据表中指出:“由于开关需要偏置电压、因此设计人员必须将电容器放置在开关的一侧。 如果它们放置在开关的两侧、则应提供偏置电压“。

    数据表还指出“如果系统中的共模电压高于 2V、则耦合电容器放置 在开关的两侧“。

    我将其解释为在两种情况下需要偏置电压:

    1.在开关的两侧增加交流耦合。

    2.共模电压> 2 V

    此致

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    你好 Jovnas,

    两侧都有交流耦合 当共模电压> 2V 时、需要 VBIAS。
    在任何其他情况下、您会在没有任何 VBIAS 的情况下对一侧进行交流耦合。

    谢谢、

    NIR  

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    嗨、NIR。

    如上所述、我的应用需要对两侧进行交流耦合。 根据 HD3SS3212 的数据表、我必须向 HD3SS3212 添加一个偏置。

    回到我的原始问题: 您能阐明一下、可以如图 6 所示连接 100k Ω 电阻器并将接地端用作 VBIAS 吗?

    e2e.ti.com/.../hd3ss3212-ac-coupling-capacitors-and-vbias-resistors-for-the-lines-exceeding-common-mode-voltage-of-2v 中 、他们写道:“我建议对 VBIAS 使用相对较弱的偏置电阻。 200k Ω 接地、或 0 - 2V 之间的偏置电压应正常工作“。

    e2e.ti.com/.../hd3ss3212-q1-common-mode-voltage-for-hd3ss3212-with-tusb501 中 、他们写道:“可以在 HD3SS3212 的所有侧放置交流耦合、同时通过弱下拉电阻器偏置到地“。

    e2e.ti.com/.../hd3ss3212-how-to-determine-the-pull-up-resistor 中 、他们写入“100k 为建议的电阻器“。

    此致

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    你好 Jovnas,

    是的,如果你这样做,你的原始问题是好的。  
    我建议使用 1k、因为这就是数据表建议的值。

    不过、它与共模电压相关、此处与该问题无关。
    这是我遗漏的。

    谢谢、

    NIR  

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    谢谢 NIR。

    在阅读数据表时、我不理解 RBIAS 元件是什么、因为图 8 中没有任何 VBIAS。

    但我觉得很困惑、当您的几个同事建议使用 100k Ω 至 200k Ω 时、您和数据表建议使用 1k Ω。

    我还发现、数据表中指出“开关需要偏置电压“很奇怪、它还指出可以将接地用作 VBIAS。

    我更倾向于在制作 PCB 之前先回答我的问题。 与在 PCB 上进行实验相比、使其在理论上正确得多。 你有一个更了解 HD3SS3212 内部的学院吗?

    此致、Jovnas

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    您好、Jovans、

    在阅读其他响应和数据表后、我收回了 1k 上拉值建议、因为这个拉动太强。  
    我认为数据表中的 RBIAS 值是一个拼写错误、因为这种上拉值在高速信号中实际上没有意义。  
    使用 100k 至 200k 电阻器更合适。

     数据表中的“开关需要偏置电压“这一表述会造成误导。 它指的是不同类型的“偏置“。
    它讨论了多路复用器 I/O 上的主机/控制器偏置、或者换句话说、仅讨论它发送到其输入的信号。  
    在同一段落中、它提到“开关由系统/主机控制器偏置“。  

    带有上拉电阻器的 VBIAS 即我们所说的外部偏置。
    当此部分的共模电压超过 2V 时、我们强烈建议这样做。
    该偏置的重点是确保多路复用器在 I/O 上检测到 0V 至 2V 的电压电平。
    您可以将线路下拉至接地、因此多路复用器会看到 0V、或将其上拉至 0V 至 2V 的 VBIAS。  

     
    只需要外部电压偏置来抵消高共模电压。
    在对两侧进行交流耦合时、不需要进行该操作。
    如果你仍然这样做,这是没问题的,但这不是我们推荐的。  

    希望这澄清了您的顾虑。
    如果没有、请免费填写、以便提出进一步的问题。  

    谢谢、

    NIR  

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    嗨、NIR。

    您写道:“只需要外部电压偏置来对抗高共模电压“。 但数据表指出:“由于开关需要偏置电压、因此设计人员必须将电容器放置在开关的一侧。 如果它们放置在开关的两侧、则应提供偏置电压“。

    我不同意您的解释、我认为数据表中非常清楚地说明了在两侧使用交流耦合电容器时需要偏置电压。

    此致、Jovnas

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    你好 Jovnas,

    我已与一位同事讨论过此问题 、以确认我的解释。  
    查看数据表、是的、您是对的。
    当您对 HD3SS3212 的两侧进行交流耦合时、还需要对这些通道进行偏置。  我们建议偏置到 0V。

    这是一个非常独特的应用。  
    您能解释一下为什么必须对两侧进行交流耦合吗?  

    谢谢、

    NIR  

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    嗨、NIR。

    谢谢你。 然后、我将在 HD3SS3212 的一侧添加接地的下拉电阻器。

    我们的应用连接到其他具有内置交流耦合的收发器、因此我们无法控制它们的放置位置。

    此致、Jovnas