[参考译文] DP83TD510E-EVM：温度变化下的以太网到 SPE 和 SPE 到以太网时序数据

尊敬的 Shreyas：  

DP83TD510 器件在 –40°C 至+105°C 的工作温度范围内进行了分类、可满足您的要求。 不过、您提到输入时钟具有高达 70ppm 的稳定性、这违反了 510 时钟要求 (50ppm)。 在高达 125°C 的整个工作温度范围内、温度的频率影响似乎为 50ppm、因此高达 85°C 的总 ppm 不匹配可能仍低于 50ppm。 只要输入时钟满足所述要求、RMII 接口就应具有稳健性。  

此致、

Vivaan

感谢您的澄清。

我们选择了一个 在整个温度范围内具有 20ppm 频率稳定性的振荡器、因此满足输入时钟要求。

在您之前的回答中、您提到：

“只要输入时钟满足所述要求、RMII 接口就应该保持稳定可靠。“

我们想确认应用中“RMII 接口稳定“的含义。

具体来说、这是否意味着以下各项之间的 RMII 通信链路：

1. 以太网 PHY (DP83822HRHBT)→SPE PHY (DP83TD510ERHBR)、和

2. SPE PHY (DP83TD510ERHBR)→以太网 PHY (DP83822HRHBT)

只要输入时钟满足所需的规格、该器件将在–40°C 至+85°C 的整个工作温度范围内保持可靠和稳定？

请确认这两个 PHY 器件之间的 RMII 数据通信是否能保证在这些条件下在整个温度范围内保持稳健。

如何根据需要通过软件配置或硬件配置来调整设置时间和保持时间？ 您能否以非常详细的术语解释如何调整或修改设置和保持时间变化？

还请指定 DP83TD510ERHBR 单线对以太网 PHY IC 的最高结温（Tj 最大值）。 根据 TI DP83TD510E 数据表、该器件的额定工作环境温度范围为–40°C 至+105°C

ffgggh

我们已经完成了对 EUT 的 EFT 抗扰度测试、并在测试过程中监控以太网到 SPE 的通信性能。

观察到的结果：

• 500V EFT： 通信稳定、 数据包丢失 0%
• 1kV EFT： 通信处于活动状态、但 观察到 4–5%的数据包丢失
• 2 kV EFT： 通信故障

当前状态：
该设计在较低的 EFT 电平下的性能可以接受、但无法满足 2kV 的稳健性要求。 为了确保合规性并在所有所需的 EFT 电平（尤其是 2kV）下实现稳定的通信、同时更大限度地减少或零数据包丢失、需要进一步的硬件优化。

目标：
实现：

• 500V 时的数据包丢失为 0%
• 1 kV 时、数据包丢失为 0%
• 0%数据包、在 2kV 时保持稳定通信、无故障

请查看原理图并建议所需的硬件修改、布局更新和保护增强功能、从而提高系统抗扰度并确保符合 EFT 要求。

第 1 个原理图：使用 2 个 PHY 进行以太网到 SPE 通信。

第二个原理图：CDN 网络（耦合去耦网络）

流程是从以太网 PHY 到 SPE PHY、然后通过 CDN 网络、然后在继电器旁边

Shreyas,  

以下几点可能有助于获得更好的 EFT 抗扰度测试结果。 我假设您参考的是 IEC 61000 4-4 EFT 测试、其中高频脉冲通过电容钳位发送到以太网电缆。  

该测试中的一个最大间隙是使用屏蔽电缆、您是否使用屏蔽电缆进行这些测试？ 高频突发通常可以找到一条通过屏蔽层到达连接器地的路径、这应该有助于提高 EFT 抗扰度。

如果为 EFT 测试使用屏蔽电缆、则主要问题是连接器地与大地之间的低阻抗路径。 与 ESD 测试类似、良好的接地路径可以减少潜在的接地反弹并降低注入系统的共模电压。

似乎没有使用接地隔离。 强烈建议这样做以获得更好的性能、从而减少系统中的接地反弹。 此外、如果布局中 MDI 线路下方尚未存在接地层、则有助于实现更好的阻抗匹配。

本 应用手册 还介绍了此测试以及一些有关设置的详细信息。 这个结果似乎符合您的要求。 用于这些测试的参考设计板是 TIDA-010261、可在此处找到 原理图/布局参考。

此致、

Vivaan