[参考译文] DS30BA101：如何连接 DS30BA101 和 DS30EA101 的外围电路

Hayashi-San

请参阅下面插入的回复。

-关于 DS30BA101 的 6pin
 我注意到、6 引脚 (VCC) 在推荐的 EVM 电路中未连接。 我认为 6 引脚 (VCC) 应连接到 VCC、而不是保持未连接状态。
 我的理解是否正确？

您的理解是正确的。 请遵循数据表、将引脚 6 连接至 VCC。

-关于 DS30BA101 的 11 引脚 (OUT-)
 在 EVM 的推荐电路中、一个 75 Ω 电阻器和一个 5.6nH 电感器并联、后跟一个 4.7uF 电容器。
 另一方面、DS30BA101 数据表的推荐电路有一个 1uF 电容器和一个 75 欧姆电阻器串联、然后接地。
 我认为、连接一个 4.7uF 电容器可使足够的低频分量通过。
 我认为 4.7 μ F 电容器合适、而不是 1uF 电容器、如 EVM 的推荐电路中所示。 我的理解是否正确？

DRIVECABLE04-TX 原理图显示了一个较大的交流耦合电容器、可适应各种数据编码方案和频率成分。 如果不考虑通过低频内容、则可以使用较小的交流耦合电容器。

5.6nH 并联电感器用于输入回波损耗补偿、必须满足 SMPTE 回波损耗要求。 电感器的实际值取决于 PCB 设计、但历史上、5.6nH 值在许多设计中非常适用。 如果您不需要通过补偿网络满足特定的回波损耗规格、则无需该电感器。

-关于 DS30BA101 的 12 引脚 (OUT+)
 根据 EVM 建议的电路、对于引脚 12 (OUT+)、与引脚 11 (OUT-) 一样、我认为 4.7uF 电容器是合适的、而不是 1uF。  
 我的理解是否正确？

请查看我的上述回复。

-关于 DS30BA101 的 11 引脚 (OUT-)
 在 EVM 推荐的电路中、我认为应在 C5（4.7uF 电容器）和 GND 之间放置一个 75 Ω 电阻器。 这是正确的吗？
 在连接到引脚 12 (OUT+) 的 DS30EA01 电路中、一个 5.6nH 电感器和一个 75 Ω 电阻器并联、然后通过另一个 75 Ω 电阻器连接到 GND。
 OUT+和 OUT-需要设置为对称电压、因此我认为还应在 OUT-侧放置一个 75 Ω 电阻器。
 我的理解是否正确？

这看起来与问题 2 重复、请查看我的上述回答。

-关于 DS30EA101 的 11 引脚 (OUT+)、10 引脚 (OUT-)
 我的理解是否正确、根据 EVM 的推荐电路、电容器 C13 和 C14 应该是 4.7uF 而不是 1uF？

较大的交流耦合电容器、可适应各种数据编码方案和频率内容。 如果不考虑通过低频内容、则可以使用较小的交流耦合电容器。

谢谢

David