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[参考译文] DS90LV048A:DS90LV048 电源去耦建议

Guru**** 2927080 points

Other Parts Discussed in Thread: DS90LV047-48AEVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1653535/ds90lv048a-ds90lv048-power-decoupling-recommendations

器件型号: DS90LV048A
主题中讨论的其他器件: DS90LV047-48AEVM

 
 
 
 
我注意到、在 DS90LV048 数据表的第 11.1.1 段中、电源去耦建议指出“在电源引脚处并联使用高频陶瓷(建议使用表面贴装)100nF 和 1nF 电容器、值最小的电容器最靠近器件电源引脚。“ 而“DS90LV047-48AEVM 评估板“仅采用 100nF 电容器。 为什么? 我是否可以在设计中忽略 1nF 电容器、或者是否存在强制使用该电容器的情况?
提前感谢、
Antonio
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Antonio:

    并不完全需要将两个电容器并联、因为在尝试处理高频时、一个小容值电容器(大约 100nF)就足够了。 只要电源入口点(10uF 以上)有一个更高值的旁路电容来提供稳定的电压来应对电流变化、那么一切都应该正常。 另一种选择是为两个并联电容器留出专用空间、并在需要时将其中一个电容器或另一个电容器未组装。 希望这能回答您的问题。

    此致、

    Ethan