This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TUSB216:TUSB216 上的 I2C 增益设置与硬件增益设置之间有何差异?

Guru**** 2966500 points

Other Parts Discussed in Thread: TUSB216

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1656408/tusb216-what-are-the-differences-between-i2c-gain-settings-and-hardware-gain-settings-on-the-tusb216

器件型号: TUSB216

芯片如何设置增益? IC 中是否内置了超前/滞后补偿器、有助于提供所需的提升?  
是否可以进一步将值“调整“到中间级、或者为增益提供的电阻是否需要在相对于数据表/ EVM 上所述值的特定容差范围内? (例如:Rboost 设置为 5.1K 是否提供介于 2 级和 3 级之间的增强电平?)

IC 是否通过使用 I2C 控制来启用/禁用片上电阻器?
温度摆幅对增益性能有多大影响?
如果 IC 位于标称温度保持在 40°C 左右的外壳中、我们是否需要表征增益?

当您通过硬件进行高增益设置、然后尝试通过 I2C 使用较低增益设置时、会发生什么情况? 它会默认为最高增益吗?  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Jose、

    芯片如何设置增益? IC 中是否内置了超前/滞后补偿器、有助于提供所需的提升?  [/报价]

    没有铅/铅门补偿器。 在 GPIO 模式下、升压设置由内部比较器确定、而在 I2C 模式下、升压通过 I2C 寄存器进行设置。

    是否可以进一步将值“调整“到中间阶段、或者为增益提供的电阻是否需要在相对于数据表/ EVM 上所述值的特定容差范围内? (例如:Rboost 设置为 5.1K 是否提供介于 2 级和 3 级之间的提升级别?)

    在 GPIO 模式下只有列出的四个可用级别。 无法通过使用某些电阻值将电平设置为“介于“电平。

    I2C 模式允许进一步调整设置、使其介于 GPIO 模式允许的范围之内、并且超出最大 GPIO 设置。

    是否有 IC 通过使用 I2C 控制启用/禁用的片上电阻器?

    否、IC 不会通过 I2C 控制片上电阻器。 I2C 是纯软件。

    ]温度摆幅对增益性能有多大影响?

    升压时、温度应该对 TUSB216 的性能没有影响。

    如果 IC 将位于标称温度约为 40°C 的外壳中、我们是否需要表征增益?

    那么您应该不需要表征 40°C 的特性。 TUSB216 应在此温度下按预期运行。

    如果通过硬件设置高增益、然后尝试通过 I2C 使用较低增益设置、会发生什么情况? 它会默认为最高增益吗?  
    [/报价]

    启动时、TUSB216 将监测 BOOST 和 RX_SEN 引脚、以查看这些引脚的电阻和电压电平。  

    如果存在 I2C PU、则可以通过寄存器 0x03 将 TUSB216 置于配置模式、其中可以通过 I2C 命令覆盖寄存器 0x01、0x0E 和 0x25 的 BOOST 和 RX_SEN 电平。 写入这些值后、可以将转接驱动器设置回正常模式、使 I2C 写入生效。

    本质上、转接驱动器将默认为 BOOST 和 RX_SEN 引脚的 GPIO 设置、然后在使用 I2C 时可以追溯调整。

    谢谢、

    Ryan

    [/quote]
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好:

    由于不活动而关闭线程。 如果您有任何后续问题或疑虑、请随时回复。

    谢谢、

    Ryan