Other Parts Discussed in Thread: TDA4VM, SK-TDA4VM
“线程”中讨论的其他部件:TDA4VM, SK-TDA4VM
大家好,
我在 新设计中使用 DP83867ERGZT ETH PHY,以太网 I/F 不是 RJ45,我将为此使用工业 M12连接器。
因此,我不确定该芯片组使用的最佳磁性。
请分享适合与这些集成电路一起使用的推荐部件号?
谢谢大家,
伊萨海,
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你好,杰罗姆,
感谢您的回复,
是的,我在数据表中看到,我很困惑,我发现了使用 RJ45带磁性的 TI EVK,并且中心丝锥内部分类,每个中心丝锥到 GND 的电容器为0.1uF。
正确的方法是什么? μF 数据表“连接到 PHY 的一侧的每个中心抽头必须相互隔离,并通过去耦电容器连接到地面(建议0.1 μ A)。”
请查看以下图片,第一张图片(显示 TI EVK)和第二 张设计图片。
请提前感谢
伊萨海,
您好,伊沙伊
请发送 EVK 设计的链接吗?
我发现的所有 EVM 都有离散磁性(HX5008NL)或集成磁性(7499111000A)。 无论离散还是集成,我都发现它们都遵循与数据表中相同的配置,这是官方建议。 我找到的一些主板的链接:
https://www.ti.com/lit/df/snlr034/snlr034.pdf?ts=1645635590766
顺祝商祺!
杰罗姆
你好,杰罗姆,
感谢您的链接,
是的,TI EVK 是第31页上的“用于 Edge AI 视觉系统的 SK-TDA4VM - TDA4VM 处理器套件”,您可以看到 ETH PHY 实施。
请参阅链接>> https://www.ti.com/tool/SK-TDA4VM
此致,
伊萨海,
您好,伊沙伊
我的反馈:
-请遵循数据表中列出的电源针的去耦方案
-将 R49更改为4.7华氏度
-将 R198更改为11k 1%容差
确保晶体符合数据表中的规格。 可以测量时钟输出以验证信号
-确保 MDC 上没有 PU 电阻,而 MDIO 上没有1.5-2.2k PU 电阻
-确保在正常操作过程中 Reset_N 过高
—您似乎已对其进行了 DNP 处理,但请确保在 MDI 信道上 P 和 N 之间没有端接电路
-捆扎。 我已解码以下设置:
+ PHY 地址0x2
+自动协商已启用
+ RGMII TX/RX Clk Skew,2 ns
+针对10/100/1G 的自动协商广告
+后视镜模式已禁用,SGMII 已禁用
顺祝商祺!
杰罗姆