[参考译文] DP83TD510E：对平面间接ESD放电的敏感度

以上是指媒体转换器，而不是中继器。  抱歉。

赛勒斯

您好，Cyrus：

感谢您与我们联系。

用于测试的ESD电压是多少？

链路断开和恢复本身(B类)不会被视为失败。 IEC6.1万-4-2将B级显示为ESD测试的验收标准。

ESD性能A级是否是您的系统的要求？

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此致，
Gokul

您好Gokul：

感谢您的快速回复。

+/4KV是我用来放电到平面的值。

我需要A级 。该产品适用于危险的工业环境。  通信中断将非常严重，EMI级别也很高。

我对改善这种情况有两个想法。

1. 使用 DP83TD510E 作为RMII主控制器，并设置电路，  在 DP83TD510E之后启动DP8.3822万。  我不确定启动2个PHY需要多少延迟，所以我需要知道。   
2. 使用RGMII Media Converter模式，而不是RMII。   DP83TD510E 数据表显示："借助RGMII Mac，Mac接口时钟运行
   频率为2.5MHz，消耗的功率更少，信号完整性得到改善。"  RGMII能否更耐受EMI？
   

这让我在不知道到底发生了什么问题的情况下试图解决这个问题时感到紧张。  您能否提供有关电路中哪一部分对该测试敏感的任何见解？  是RMII通信和/或时钟？

如果您有任何改进建议，我将不胜感激。

感谢您的帮助，

赛勒斯

您好，Cyrus：

请让我与团队就此进行讨论。 我将在星期二结束前回复您。

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此致，
Gokul。

您好，Cyrus：

设备在APL的RMII从属设备中失败，并在APL的RMII主设备中传递，表明与XI引脚的50MHz时钟输入有关的一些灵敏度。 我们可能需要先检查时钟方案和路由，然后再检查调试周期，以证明假设。

在RGMII模式下，由于时钟速度仍为25MHz，性能会更好。 仔细的晶体布局可能会使A级通过。

请告诉我您的想法。

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此致，
Gokul。   

您好Gokul：

我在PCB上进行了一些测试，支持 DP83TD510E XI引脚对我正在进行的ESD测试敏感的想法。

如果我制作 了DP83TD510E RMII主控制器，并延迟 了DP8.3822万的启动，它会在 DP83TD510E XI和XO上放置一个25MHz的晶体。  这是否同样是RGMII的好方法？  

我当前的PCB布局使用 RMII。  RGMIII会在PHY之间添加大量迹线，并且需要做更多的工作来修改布局。  但是，如果RGMII更有可能解决问题和/或整体而言更强大，那么我会更改为RGMII。

如果DP83TD510E AS RMII Master方法与RGMII方法一样好，那么我将选择RMII。  我只需要知道 DP83TD510E 启动多长时间 ，并在  启动 DP8.3822万之前将稳定的50MHz时钟转到DP8.3822万。

如果您能提供建议，说明哪种方法更稳健，我将不胜感激。

此致，

赛勒斯

您好，Cyrus：

当DP83TD510E用作RMII主设备时，设备DP8.3822万在RMII从设备中使用，该设备现在采用50MHz时钟输入。
该器件DP8.3822万也未进行A类性能测试， 我不确定DP8.3822万 PHY的50MHz时钟输入是否具有一定的灵敏度。
如果在较高的电压下(假设4.5kV)进行测试，您可以确信RMII主从机的这种配置在电路板/设备之间不会出现问题。

对于A类性能，我们无论如何都必须依靠您的测试，如果它以一定的幅度通过您的设置，那么无论是RGMII还是RMII都无关紧要。

如果您想通过RMII的路径，请分享主板的原理图和布局吗？ 我可以查看一下，并告诉您是否可以进行一些改进。

如果您需要更多详细信息，请告诉我。

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此致，
Gokul。

我将其标记为已解决。  谢谢Gokul。

赛勒斯