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部件号：UCC5320 我想知道UCC5320驱动器的设计技巧吗？ 感谢您对此主题的评论。
驱动SiC MOSFET时，首选负电压偏置和Miller钳位。 原因如下：
当SiC MOSFET关闭时，Miller电容器消耗的电流会导致内部和外部栅极电阻的相对高电压降，从而引发电压峰值。 如果电压峰值高于MOSFET阈值电压，则会发生错误触发。 SiC MOSFET的阈值电压通常较低，dv/dt比Si IGBT高，因此SiC MOSFET首选有源Miller钳位。
负电压偏压也有助于使栅极电压保持在关闭状态下低于阈值电压。
在UCC53x0系列中，如果在高dV/dt 开关中使用SiC MOSFET，UCC5310M可能是比UCC5320E更好的选择。 UCC5310M也支持负电压偏置，尽管它没有GND引脚。 如下图所示，可以创建负电压偏置。
如果使用UCC5320E，则需要在板上安装外部有源Miller夹紧电路，这种做法成本高昂，并且需要额外的板空间。
注意：UCC5310M钳位阈值电压使用V形参考，如果负压偏置为-4V，则在关闭状态下，有源钳位将在-4V+ VCLAMP_TH =-1.9V时触发。
