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[参考译文] ISO5852S：E/C表和应用问题

admin
Guru**** 2539010 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO5852S

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/641033/iso5852s-e-c-table-and-application-questions

部件号：ISO5852S

大家好，

我的工业客户正在考虑Si8283的竞争部分，该部分与TI的ISO5852S器件竞争。

1.传播延迟，ISO5852S：110ns，最大@ 1000pF，Si828x：50ns，最大@ 200pF。 您能否提供ISO5852S 200pF的传播延迟？ 这样就可以进行苹果与苹果的比较。

2. ISO5852S是否有 任何应用GAN / SIC的参考设计？ 对于这样的新技术，使用ISO5852S，如何使用Desat引脚进行电流保护？ 与传统FET相比，设计是否有任何差异？ GAN FET是否可以采用ISO5852S进行设计？

此致，

Brian

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    TI__Guru**** 2539010 points
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    您好，Brian，

    1.我们将继续努力并随时为您提供最新信息。

    2.我们正在研究一些使用ISO5852S驱动SiC MOSFET的参考设计。 将在不久的将来与您分享这些报告。  

    谨致问候，

    熊

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    TI__Guru**** 2539010 points
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    熊丽，您好吗？
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    TI__Guru**** 2539010 points
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    您好，KAAN，

    这些信息将在线提供。 请稍后再查看。  

    谨致问候，

    熊

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    TI__Guru**** 2539010 points
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    谢谢，请点击此处查看此链接吗？ e2e.ti.com/.../64.6286万

    我创造了20V，5V的驾驶电压，这种电路一切都很好？