[参考译文] UCC2.152万：停机时间和MOS-FET加热

权永良：

第一个问题：请帮助我确认波形：

• 通道1 (黄色)：开关
• 通道2 (绿色)：低
• CH3 (靛蓝)：您好

红色圆圈中的事件持续时间约为50ns，这大致是编程的停机时间。 即使在低电压波形中，也可以在<1V时观察到相同持续时间的小平稳水平。 我认为死时电路运行正常，但如果不测量HO-HS输出，则无法判断。 是否可以使用差分探头或示波器数学函数(从HO波形中减去SW节点)来完成？

平台行为可能由高侧和低侧MOSFET之间的高阻抗节点处形成的电容分压器来解释。 加载网桥应有助于缓解此问题。 请告诉我，在低电压(30V)下施加小负载(10kΩ μ A)是否有帮助。

第二个问题：MOSFET切换时，或处于静态关闭状态时，是否会看到高电压电流？ 切换过程中，应预计高压电源会产生一些电流，因为MOSFET (Coss)的寄生电容将进行充电和放电。 这些电容器的能量会在MOSFET中散热。 但如果在100V的情况下看到13mA且两个MOSFET均未切换，则MOSFET可能未完全关闭(检查Vgs以确认)，MOSFET可能会受损(来自漏源，漏极栅和栅极源的测试电阻)，或PCB可能受损(使用MOSFET脱焊的测试电阻)。

此致，  

您好，Derek Payne，

感谢您的善意回复。

很抱歉，我的解释不详细。

在上述问题的波形图中，每个信号显示如下。

此外，此波形也是相同的，在其中，所有电源都不是隔离的。

•CH1 (黄色)：输出

•CH2 (绿色)：OUTB

•CH3 (IndiG): INA (INB=反向INA)

您的解释中提到了哪些HO和HS？

图3)是与上述问题相同条件的波形。

图3)

•CH1 (黄色)：INA (INB=反向INA)

•通道2 (绿色)：输出

•CH3 (靛青色)：OUTB

•CH4 (红色)：SW (=Vssa=低压侧FET的引脚)

我认为，如果红色圆圈的平面部分是死时间，白色圆圈应该是低状态。

图4中的CH4为VDDA。

图4)

您可以在图4中看到，CH4波形正由Vdd上升。

此致，  

权

您好，Kwon，

我对何人/ HS术语表示歉意。 对于非隔离半桥驱动器(我也支持)，高侧输出分别标有VDD-VOUT-VSS的HB-HO-HS。 同样，LO是低侧输出。 我将确保将来使用UCC2.152万的相应术语。

感谢您提供新波形，它们的标签非常清晰！ 现在我知道OUTA被引用到GND，此波形是有意义的。

1. 激活高侧MOSFET后，您已将低侧MOSFET上的漏源寄生电容充电至高电压。
2. 当停机时间开始时，两个输出变为低电平，两个MOSFET漏电源路径变为高电阻，因此低侧MOSFET漏电源电容器没有电流路径。
3. 寄生电容器将保持高电压，直至停机时间结束，低侧MOSFET激活，从而创建电流路径。

这只能是因为半桥没有加载。

此致，

您好，Derek Payne，

感谢您的友好和详细答复。

图3显示了相同的波形)当您提到的低侧MOSFET的CD (漏源电容)放电路径的SW和GND之间连接了1.5k欧姆负载时。

换言之，图3中红色圆圈和白色圆圈显示的波形没有变化。

这些波形是否可以在半桥电路中？

如何处理我在第一篇文章中提到的MOSFET的热量？

此致，

权

权永良：

由于电压在MOSFET和栅极驱动器的额定值内，因此在半桥电路中有这些波形应该是可以的。

低压侧MOSFET CD的总电容(从20V至10V)保持接近恒定，我们可以根据数据表图(图11，Coss - CRSs = CD)保守地估计约为30pF。 但是，如果低压侧CD的电压降低，则意味着高压侧CD的电压也必须增加。 该电容器很难估计，因为它在0-10V区域中高度非线性，但最糟糕的情况是它看起来大约为100pF，因此我们保守地将该数字用于整个区域。 这些电容器将并行组合，并且130pF * 1.5kΩ= 195ns的时间常数，因此保守地至少(1 - e^(-50ns/195ns))=预期22.6 % 变化。 这是假设纯粹的电阻负载。 由于您说图3中的白圈没有变化，即使有1.5kΩ Ω 负载，您也应检查负载在您的工作频率下没有大量寄生电容。

由于CD造成的开关损耗会导致MOSFET发热，这是不可避免的，因为负载的电阻过高，无法消耗大部分能量。 在波形中，您切换1MHz高电压MOSFET，开关损耗与频率成正比。 降低切换频率或至少降低每秒切换转换次数将减少切换损耗。 您必须确保MOSFET有足够的铜质区域用于散热。 它们可能需要主动冷却。 如果您能找到另一个具有相似额定值和更低CD的MOSFET，这也将直接降低开关损耗。

此致，

此致，