主题中讨论的其他部件: Tida-0.1159万
大家好,
我想使用UCC2.152万隔离栅极驱动器按如下所示操作。
但是,我无法控制高侧mos-FET,因为bootstrap不工作。
请告诉我如何使用UCC2.152万 (或替换件)控制此高侧mos-FET。
电路随附pdf文件。
谢谢你。
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大家好,
我想使用UCC2.152万隔离栅极驱动器按如下所示操作。
但是,我无法控制高侧mos-FET,因为bootstrap不工作。
请告诉我如何使用UCC2.152万 (或替换件)控制此高侧mos-FET。
电路随附pdf文件。
谢谢你。
问候,
我是一名支持UCC2.152万的应用工程师。 我将帮助您回答您的问题。
您遇到了所有bootstrap耗材中存在的占空比限制。 从正时图中可以了解到,其中一个低侧FET将始终关闭60秒以上。 连接到低侧FET的漏极上的VSSA在这段时间间隔内将持续比VSSB具有更高的电位。 同样,在此时间间隔内,VDDA的电势将高于VDD,因此引导电源无法为VDDA电容器充电。 因为一个通道消耗约1mA的静态电流,所以高侧电容器会迅速耗尽。
由于此应用中存在极端的占空比限制,我建议为每个高侧驱动器使用单独的独立隔离电源。
此致,
您好,Kwon,
请查看TIDA-0.1159万,了解从单个5V电源为UCC2.152万驱动级供电的隔离DC/DC转换器的示例。 有关此参考设计,请注意两个事项:
所链接的示意图表明,仪器最多有12个通道,这可能导致隔离电源数量不切实际。 在此应用程序中,是否可以在第2季度/第3季度的休息时间激活第4季度,在第1季度/第4季度的休息时间激活第3季度? 请参阅下面编辑的计时图。 这将使引导式电源有机会重新充电,并消除单独隔离式电源的需要。 定时图指定了0.5µs的最大接通脉冲持续时间,但不指定断开脉冲持续时间。
此致,
您好Derek Payne:
感谢您的详细解释。
我现在知道可以使用隔离电源和高侧电源。
我想我对我的意图没有足够的解释。 我将更清楚地说明这一点。
有四个H形电桥电路,如下所示。
还有两种操作模式。
在模式1中,电流沿红色方向流动,在模式2中,电流按[ckt1],[ckt2],[ckt3]和[ckt4]的顺序沿蓝色方向流动。
模式1和模式2之间的切换时间可能很长。
[模式1定时]
[模式2定时]
mos-FET的接通时间,即脉冲宽度,约为50 nsec至500 nsec。
请告诉我更多有关这方面的信息。
此致,
权
权永良:
如果我理解正确,以下两项陈述应正确(请验证):
如果是这样,您应该能够在每个电路脉冲之间的时间间隔内激活Q3 (模式1)或Q4 (模式2)。 这会将主动驾驶员的VSSA拉至地电位,从而使VDDA通过引导电路重新充电。 由于在这些时间间隔内只有低侧MOSFET处于打开状态,负载(水下电极)将不会通电。 如果可以在每个电路的脉冲之间激活Q3 (模式1)和Q4 (模式2),这将消除VDDA上的隔离电源需求,并且可以在软件中实施更改(假设INA和INB来自某种控制器)。
另一个注意事项:在启动脉冲序列之前,必须对所有电路的自举电源进行充电。 在启动期间和待机期间,Q3和Q4应同时激活,以使引导电源充满电。 这不应影响模式1或模式2的操作。
此致,