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[参考译文] UCC2.152万:隔离高侧驱动器(即不带引导的操作)

Guru**** 2466550 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/639319/ucc21520-isolation-of-high-side-driver-i-e-operation-without-bootstrap

部件号:UCC2.152万

大家好,

我目前正在查看UCC2.152万,有两个问题。

1)这更像是 一个反复检查,但在高侧/低侧配置中,我可以打开两个晶体管,而无需设备实施任何自动保护并将其关闭。 从数据表来看,似乎是这样,只是想仔细检查一下。

2)最后,我不会将其用作切换,而是用于控制。 所以我先打开低侧,然后是高侧和低侧,最后是高侧。 因此,这些都将打开~10秒的时间,因此引导可能不起作用。 也可以是更长或更短的时间段。 因此我想将一个隔离接地连接到高端MOSFET的门,将其连接到DCDC转换器,并将其12V ISO输出连接到 高端的VDDA,将ISO接地连接到高端的VSSA。 在这种情况下,芯片是否能正常工作? 如果此芯片无法达到最佳效果,是否有其他方法可以使用。

提前感谢您的帮助

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    PieterT您好!

    我是一名支持UCC2.152万的应用工程师。 我将帮助您回答您的问题。

    1)正确,UCC2.152万可以同时将两个输出切换为高电压,但这不是默认行为。 UCC2.152万具有可配置的DT引脚,必须连接至VCCI,以允许两个输出同时切换为高电平。

    2)将隔离的12V直流/直流转换器与ISO-GND -> VSSA和ISO-12V -> VDDA联接起来应该工作。 但是,我不明白为什么要将ISO-GND连接到高侧MOSFET的门。 通常在高侧/低侧配置中,高侧输出的VSS连接到高侧N-CH MOSFET的源。 如果将VSSA连接到高侧MOSFET的门,则输出连接到什么?

    此致,
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    Derek先生,您好!  

    感谢您的快速回复。

    1)很好,所以只需确保未启用停滞时间,我就可以继续了。

    2)我完全错了,我的意思是让ISO-12V -> VDDA,ISO (接地)/ MOSFET的源->  VSSA,最后输出A连接到高侧FET的门。

    在这种配置中,我应该没有问题吗?

    此致,

    Pieter

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    Pieter您好!

    正确,您在2)中描述的配置应该正常工作。

    此致,
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    感谢您为Derek提供的所有信息,这完全解决了我的问题