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[参考译文] SN75DP130:RSTN引脚的内部上拉电阻变化。

Guru**** 2481085 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/655459/sn75dp130-internal-pull-up-resistor-variation-for-rstn-pin

部件号:SN75DP130

大家好,

请允许我向您询问RSTN引脚的内部上拉情况。

当Vcc/Vdd超过100us稳定后,用户需要释放RESET。

当RSTN由外部盖控制时,我们需要计算电容以满足上述要求。

在这种情况下,我们需要了解以下2个信息。

1)。 内部上拉电阻变化是什么? Rrstn=150k Ohm (典型值)。 什么是最小值和最大值?

2)。 在单电源模式下使用时,调节Vddd输出的最小和最大规格是多少?

此致,

KAWAI

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    你好,Kawai

    这种拉式的变化范围从100K到200K,单电源模式下的输出与其他版本完全相同,只是内部设计不同。

    此致
    弗朗西斯科
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    您好,Francisco-San,

    感谢您提供上拉电阻变化信息。

    在单电源中使用时,VDDD由来自VCC的内部LDO生成。 什么是VDDD最小值/最大值?

    我们需要VDDD和R_RSTN信息进行计算。

    此致,
    KAWAI
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    你好,Kawai

    您可以考虑VDD的容差,就像可能的变体一样。 作为推荐的工作条件,此电压从.97V变为1.2V。

    此致
    弗朗西斯科
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    您好,Francisco-San,

    谢谢你。

    此致,
    KAWAI