• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 4 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 801 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC5310：隔离栅极驱动器，用于静态使用

admin
Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC5310
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/667608/ucc5310-isolated-gate-driver-for-static-use

部件号：UCC5310

早上好，

我是隔离栅极驱动器文件的新用户，因此我很抱歉这个琐碎的问题：是否可以使用隔离栅极驱动器(如UCC5310)永久打开高侧N-MOS？

我正在为蓄电池保护电路寻找一个高电压栅极驱动器，在这种电路中，高侧n-MOS必须始终处于开启状态(保护情况除外)，因此基于自举电容器的典型栅极驱动器不适用，因为它们需要驱动器的连续切换。

如果隔离栅极驱动器不适合此类静态工作条件，我可以使用什么？

提前感谢您的帮助

此致

Matteo

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好Matteo，

    是的，可以使用隔离栅极驱动器进行高侧FET的100 % 占空比操作。

    有一个应用手册可能会有帮助： 使用单输出栅极驱动器进行高侧或低侧驱动

    对于100 % 占空比操作，我建议使用参考高侧FET源的外部偏置电源。

    这将 消除对液位换档 电路或引导的需求。  


    此致，
    Mateo

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，Mateo：

    感谢您的回复和确认。

    我对使用UCC5310和100 % 占空比的可能性有疑问，这是由于电容耦合用于驱动隔离屏障上的信号(数据表第24页)。 但实际上，这种电容耦合不在直流驱动信号上，通过它进行的数据传输的调制方案也支持100 % 占空比条件。

    关于外部隔离偏倚(或更好的，参照MOS来源)，这是很清楚的。

    但这种外部偏置也可用于标准引导门驱动器(即不是隔离门驱动器)，以便允许100 % 占空比？

    再次感谢

    此致

    Matteo

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，Matteo，

    是的，外部偏置可用于标准引导门驱动器，以便允许100 % 占空比。

    此致，
    Mateo

  • 0
    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    非常感谢您的帮助！
    此致
    Matteo