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[参考译文] TPS6.5982万：TPS6.5982万，HV_Gate1和HV_gate2

admin
Guru**** 2460850 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/586107/tps65982-tps65982-hv_gate1-and-hv_gate2

部件号：TPS6.5982万

您好，团队，

TPS6.5982万能否同时启用HV_Gate1和HV_Gate2？

电流流经NMOS主体二极管，然后导致功率损失和热量。 因此，客户想要避免这种情况。

此致，

Satoshi Yone

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    TI__Guru**** 2460850 points
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    Yone San，您好！

    82的外部路径上的HV_Gate1和HV_gate2不受GPIO控制，它们由内部电路控制的内部充电泵控制。 但是，您可以通过应用程序配置工具将HV_Gate1和HV_gate2都配置为打开或同时关闭，方法是选择外部电源路径作为源或接收器。

    注：两个FET都打开或都关闭时，不应有电流流流过背对背体二极管。
    您能否解释电流如何流经NMOS主体二极管？ 这是反向电流吗？

    谢谢
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    TI__Guru**** 2460850 points
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    你好，Jeff，

    感谢您对问题的回答。 客户尝试选择外部电源路径作为电源或接收器，但一侧NMOS不会同时打开。

    客户已尝试PP_EXT配置(0x28)。 是否有任何其他配置可通过应用程序配置工具同时打开或同时关闭？

    此致，
    Satoshi Yone
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    TI__Guru**** 2460850 points
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    您好，Satoshi - San，

    如果存在反向电流情况，则带有与正常电流相反的主体二极管的FET将关闭，以防止电流到达另一侧。 当VBUS侧的电压相对电流大于VBUS侧的电压与电流流动时，会发生这种情况。 例如，当用作电源时(电流从PP_EXT流向VBUS或从左到右) HV_GATE1将关闭，同时主体二极管阻止反向电流(从右到左)。 VBUS吸入端的电压高于源端。 外部后部到后部的FET需要在共用漏极连接中实施，否则将无法工作。

    您是否使用RSENSE电阻器来感应VBUS电压？ (x982仅支持5或10 m Ω RSENSE)。
    您是否在主机GUI中看到RCP事件？

    谢谢