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[参考译文] DS110DF111:传播延迟

Guru**** 2464110 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/593488/ds110df111-propagation-delay

部件号:DS110DF111

您好:

规范6.5 电气特性(第7页)传播延迟(TPD)–假设CDR锁定在输入信号上,您是否可以指定哪些参数(输入信号特性和寄存器设置)产生最大传播延迟?

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    你好,Sean,

    传播延迟实际上是由内部体系结构设置的。  输入特性和大多数寄存器设置将不会产生任何影响。

    “慢速”输出边缘速率寄存器控制将降低输出边缘的速度,并将 传播延迟增加~ 15ps。

    以下是一些环境传播延迟变量,从2.5V和25C操作开始。

    1.+85C操作(增加10ps)

    2.-40C操作(减去10 ps)

    3.VDD = 2.375V (增加2PS)

    工艺变化估计值

    1.最慢(增加35ps)

    2.最快(减去35ps)

    此致,

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    李:

    感谢您的回答,我还有 其他3个相关问题

    1) 6.5 第7页中的TPD传播参数350ps (定时数据)是否  基于DFE已启用?  

    2)您能否确认 启用回送不会增加明显的传播延迟?

    此致

    Sean

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    你好,Sean,

    DFE不会增加传播延迟。

    环回功能不会更改延迟,内部信道之间的信号路由非常短。

    此致,

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    李:

    谢谢你。

    此致

    Sean