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[参考译文] DP83826E：在 RJ45屏蔽层的6kV ESD 下 IC 损坏

admin
Guru**** 2513185 points
Other Parts Discussed in Thread: DP83826E

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1121969/dp83826e-ic-broken-under-6kv-esd-on-rj45-shield

器件型号：DP83826E

你(们)好

客户反映 DP83826E 在 RJ45屏蔽层上施加6kV ESD 时会损坏、按照 IEC 61000-4-2接触标准进行测试。 数据表中的电压低于8kV、您对此有什么见解吗？  

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    TI__Guru**** 2513185 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Shafeng、

    查看原理图、我想强调几点。

    1. 能否检查 Rbias 是否连接正确？ 我在该引脚上看不到电阻器。
    2. 使用6.49k 将引脚1接地。 如果打算使用基本模式、则应直接将其接地。
    3. 请在引脚2上取消装配1uF。
    4. 请取消将中心抽头连接到3.3V 的电阻器。 请参阅 数据表中的第10.2.1节。
    5. 所使用的 RJ45似乎已经具有集成磁性元件。 这使2个磁性元件串联。 请从两个磁体中取消一个磁体。

    是否可以进行必要的更改并重新运行测试？

    --
    此致、
    Gokul。