大家好、
我的客户需要对 这两个 IC 进行澄清、请参阅下面的详细信息。
我正在寻找 采用 SOT23-5封装且具有内部100 Ω 电阻器的 SN65LVDT2DBV LVDS 接收器 IC 的替代产品。 DS90LT012AQMFX/NOPB 是可能的备选器件。 因此、在比较两个接收器 IC 时、我在查看输入阈值规格时遇到困难。
原始器件(SN65LVDT2DBV)的规格为+/- 100mV。 这似乎足够简单、无法理解。 但可能的新器件(DS90LT012AQMFX/NOPB)输入阈值规格显示为"0至-30 MV"。 规格表(第5页)中的以下段落似乎表明、该替代规格是性能增强型、但恐怕我不理解其工作原理。
"阈值 LVDS 标准(ANSI/TIA/EIA-644-A)为 LVDS 接收器指定了±100mV 的最大阈值。 DS90LT012AQ 支持−100mV 至0V 的增强型阈值区域。 这对于失效防护偏置很有用。 阈值区域如图6中的电压传输曲线(VTC)所示。 典型的 DS90LT012AQ LVDS 接收器以大约−30mV 的电压进行开关。 请注意、当 VID = 0V 时、输出将处于高电平状态。 在施加+25mV 的外部失效防护偏置的情况下、典型的差分噪声容限现在是开关点与偏置点之间的差异。 在下面的示例中、这将是55mV 的差分噪声容限(+25mV−(−30mV))。 在−100mV 至0V 的增强型阈值区域中、该+25mV 的小型外部失效防护偏置(相对于0V)可提供舒适的55mV DNM。 在标准阈值区域±100mV 时、外部失效防护偏置相对于+100mV 或+125mV 需要+25mV、从而提供155mV 的 DNM、该 DNM 比 DS90LT012AQ 所需的失效防护偏置更强。 如果需要更多的 DNM、则可以通过更改电阻值来设置更强的失效防护偏置点。"
我的问题是、如果我的系统中有一定量的噪声被旧器件的+/-100mV 阈值抑制、那么它是否会被意外地记录为新器件中较小的负偏置窗口(0至-30 mV)中的数据？
谢谢你。
此致、
5月
