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[参考译文] DP83826E：RMII 模式

admin
Guru**** 2535750 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1133484/dp83826e-rmii-mode

器件型号：DP83826E

增强模式下的 DP83826x (引脚1悬空)：

HSDC077  ： 引脚28、29、30、31通过2.49K 电阻器被拉低、即使 SNLS647E 的表9-7显示引脚28-30是默认值0也是如此。  是否需要下拉电阻器？

2. 对于引脚31、2.49K 是否足够强？   如果电压必须低于0.6V (低电平自举阈值：3V3，SNLS647E 的第14页)，如果上拉电阻可以低至7.5K (第15页)，它应该是1.5K 吗？

3. 如果引脚14被上拉(2.49K？  4.7K 将提供2.0V 电压、高于1.3V 阈值)、如果引脚14被上拉(4.7K？)、请确认引脚19将是50MHz 参考时钟输出 为了选择 RMII MAC 模式并且引脚22保持悬空(对于 RMII 主控模式、缺省= 0)。     如果在 SNLS647E 的第34页中解释了设置 RMII 主模式(至少包括 PHY 上的引脚编号)、这将非常有用。

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    TI__Guru**** 2535750 points
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    请 澄清引脚 XI 和 XO 上的电容：

    1pF 还是5pF？

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    TI__Guru**** 2535750 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Inderjit、

    请在下面找到我的回答：

    1. 不需要、在这种情况  下、下拉电阻不是"必要的"、但它们确实提供了额外的确认层、以确保引脚处于所需状态。
    2. 是的、正确、应为1.5千欧。 我们目前正在更新数据表、以便在下一个修订版本中反映此更改
    3. 您仍然正确、我同意、下面是一个常见问题解答、有望帮助您正确设置器件。
      1. https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1133735/faq-dp83826e-in-enhanced-mode-how-does-dp83826-strapping-work
    4. XI/XO 具有1pF 的寄生电容、而所有其他 GPIO 引脚具有5pF 的寄生电容。

    此致、

    Alvaro

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    TI__Guru**** 2535750 points
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    另一个问题：

    5、 晶体是否需要串联电阻器？  建议在 SNLA290的第3.9节中使用、但在原理图 HSDC077中设置为0r。  

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    TI__Guru**** 2535750 points
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    您好、Inderjit、

    晶体的电阻器用于限制晶体被过驱动。 简而言之、保持下去不会有任何伤害。

    此致、

    Alvaro

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    TI__Guru**** 2535750 points
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    我的问题： 晶体在-40°C 至+85°C 的温度范围内启动或运行时、功率水平降低是否存在任何问题？

    另外、希望最后一个问题：

    6。 CEXT 在数据表(SNLS647E)中指定为2nF、但在原理图(HSDC077)中指定为0.1uF。  哪个值是正确的？

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    TI__Guru**** 2535750 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Inderjit、

    请咨询晶体供应商、100欧姆电阻器应该可以

    6.  

    相信数据表、感谢您指出这种差异。

    此致、  

    -Alvaro