[参考译文] TCAN4550：TCAN4550RGYRQ1高电流消耗

您好、Jagadeesh、

如何测量休眠电流？  您是否包含来自器件外部组件的其他电流路径、例如上拉或下拉电阻器？  此外、您是否在器件处于睡眠模式时提供 VIO？

睡眠模式电流是一个特性参数、并在数据表中指定。

此致、

Jonathan

您好、Jagadeesh、

如果器件尚未配置、并且在4分钟内清除了 PWRON 标志、则器件将进入睡眠模式。

您的结果显示待机模式下的电流小于睡眠模式下的电流、这让我有点困惑。  绝不应如此。  出现这种情况的原因之一是 VCCOUT (5V LDO)在待机模式下开启、在睡眠模式下关闭。  即使 VCCOUT 上没有负载、LDO 中的压降也会在待机模式下产生更大的电流消耗。

我看到 VIO 连接到 VCCOUT、也连接到一个称为 VCAN 的端口。  什么连接到 VCAN、它是否可以消耗电流？

器件的睡眠模式电流规格规定 SPI 总线、OSC/CLKIN 被禁用、这是由 VIO = 0V 完成的。

在睡眠模式下测量电流时是否禁用了 SPI 总线？

在器件进入睡眠模式后进行测量之前、您需要等待多长时间？  由于您将 VCCOUT 连接到 VIO、该 VIO 还具有一个可保持电荷的10uF 电容器、因此 VIO 电源轨可能仍具有足够的功率来使晶体保持振荡一段时间、这可能会对测量产生一定程度的影响。  您能否在进行测量时检查 C22 (10uF)是否已放电、晶体是否未振荡？

什么连接到 nWKRQ 引脚和 CAN_WKRQ 端口？  当器件进入睡眠模式时、nWKRQ 引脚将高电平驱动至大约3.6V。  如果此引脚上有负载、它可能会增加睡眠模式下的电流消耗。

我从原理图中看不到看起来会消耗额外电流的任何其他东西。

此致、

Jonathan