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[参考译文] DP83TC812S-Q1:EVM 晶体是否被过驱动?

Guru**** 1090490 points
Other Parts Discussed in Thread: DP83TC812S-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1158295/dp83tc812s-q1-evm-crystal-is-being-overdriven

器件型号:DP83TC812S-Q1

DP83TC812S-Q1的25MHz 晶体电路存在一些问题。  我们遇到了晶体过驱动的问题。  EVM 的 XO 引脚上有一个1kΩ Ω 串联 R。  我们已经测试了该值,但仍看到晶体被过度驱动。  1kΩ 看起来也很大。  这背后有什么历史吗?  这是 TI 遇到的问题吗?

 

我们使用的晶体与 TI EVM 相同(ECS-250-12-33Q-JES-TR)。

 

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    您好!

    EVM 用于测试 PHY 的功能。 对于客户的设计、他们必须咨询其晶体供应商、所需的配置是什么、以避免元件过度驱动问题。

    此致、

    Gerome